硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01133846.6

申请日：

2001-12-24

公开(公告)号：

CN1376740A

公开(公告)日：

2002-10-30

发明(设计)人：

中田义弘铃木克己杉浦严矢野映

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

C08L8306

IPC分类号：

H01L2328

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

庞立志;王其灏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-10-30	公开	公开
2002-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-09-28	授权	授权
2019-12-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08L 83/06 申请日:20011224 授权公告日:20050928 终止日期:20181224

共 50 条

[1]

低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件 [P].

中川秀夫 ;

笹子胜 .

中国专利 :CN1275297C ,2003-12-10

[2]

具有低介电常数绝缘膜的半导体器件及其制造方法 [P].

宇佐美达矢 ;

小田典明 .

中国专利 :CN1139977C ,1999-07-28

[3]

使用低介电常数材料膜的半导体器件及其制造方法 [P].

小柳光正 .

中国专利 :CN1309077C ,2005-06-08

[4]

低介电常数半导体器件及其制造方法 [P].

L·克莱文杰 ;

L·徐 ;

T－D·袁 ;

C·蒂贝格 .

中国专利 :CN1327509C ,2005-10-05

[5]

低介电常数膜及其制备方法 [P].

宗坚 .

中国专利 :CN110158052B ,2019-08-23

[6]

低介电常数绝缘膜的制造 [P].

佐佐木胜 ;

星野聪彦 ;

井出真司 ;

柏木勇作 .

中国专利 :CN100459062C ,2006-09-20

[7]

沉积低介电常数膜的方法 [P].

弗雷德里克·加伊拉德 ;

斯里尼瓦斯·D·内马尼 .

中国专利 :CN1698188B ,2005-11-16

[8]

含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法 [P].

山岡義和 ;

中村守孝 .

中国专利 :CN1445836A ,2003-10-01

[9]

刻蚀低介电常数膜的方法 [P].

克里斯托弗·N·奥东尼奥 .

中国专利 :CN101047132A ,2007-10-03

[10]

低介电常数膜及其制造方法、以及使用它的电子器件 [P].

樱井俊男 ;

高萩隆行 ;

坂上弘之 ;

新宮原正三 ;

富本博之 .

中国专利 :CN1823406A ,2006-08-23

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