沉积低介电常数膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480000214.3

申请日：

2004-01-29

公开(公告)号：

CN1698188B

公开(公告)日：

2005-11-16

发明(设计)人：

弗雷德里克·加伊拉德斯里尼瓦斯·D·内马尼

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L2131 H01L21768

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

肖善强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-03-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101651900790 专利号:ZL2004800002143 申请日:20040129 授权公告日:20100908 终止日期:20150129 IPC(主分类):H01L 21/316
2010-09-08	授权	授权
2005-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沉积低介电常数膜层的方法 [P].

任康树 ;

亚历山德罗斯·T·迪莫斯 .

中国专利 :CN102113099B ,2011-06-29

[2]

低介电常数膜及其制备方法 [P].

宗坚 .

中国专利 :CN110158052B ,2019-08-23

[3]

用于沉积低介电常数膜的方法与设备 [P].

李宁 ;

Z·孙 ;

M·柏西留 ;

夏立群 ;

B·J·布扬 ;

M·萨利 .

中国专利 :CN110612596A ,2019-12-24

[4]

在低介电常数电介质上沉积化学气相沉积膜和原子层沉积膜的方法 [P].

志鹏·劳 ;

驰－I·吴 ;

颖·周 ;

格兰特·M·克洛斯特 .

中国专利 :CN1324162C ,2004-08-18

[5]

低介电常数材料层的制造方法 [P].

谢宗棠 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN1409381A ,2003-04-09

[6]

刻蚀低介电常数膜的方法 [P].

克里斯托弗·N·奥东尼奥 .

中国专利 :CN101047132A ,2007-10-03

[7]

非UV高硬度低介电常数膜沉积 [P].

S·慕克吉 ;

B·谢 ;

K·M·赵 ;

K·S·伊姆 ;

D·帕德希 ;

A·加格 .

中国专利 :CN112513321A ,2021-03-16

[8]

硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法 [P].

中田义弘 ;

铃木克己 ;

杉浦严 ;

矢野映 .

中国专利 :CN1376740A ,2002-10-30

[9]

低介电常数材料的测量方法 [P].

沈千万 .

中国专利 :CN100477144C ,2007-07-04

[10]

低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件 [P].

中川秀夫 ;

笹子胜 .

中国专利 :CN1275297C ,2003-12-10

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