低介电常数材料层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02124608.4

申请日：

2002-06-19

公开(公告)号：

CN1409381A

公开(公告)日：

2003-04-09

发明(设计)人：

谢宗棠蔡正原

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

北京集佳专利商标事务所

代理人：

王学强

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-05	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/31 申请日:20020619 授权公告日:20080625
2003-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-25	授权	授权
2003-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

多相低介电常数材料层的制造方法 [P].

孙旭辉 ;

夏雨健 .

中国专利 :CN103996654A ,2014-08-20

[2]

低介电常数材料 [P].

黄心岩 ;

罗清郁 ;

陈海清 ;

包天一 .

中国专利 :CN102437143B ,2012-05-02

[3]

低介电常数材料薄膜的制造方法 [P].

张鼎张 ;

刘柏村 .

中国专利 :CN1421904A ,2003-06-04

[4]

低介电常数层的制造方法 [P].

黎丽萍 ;

吕新贤 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1327494C ,2004-06-02

[5]

多孔性低介电常数材料的制造方法 [P].

李世达 ;

徐震球 .

中国专利 :CN1157769C ,2003-03-19

[6]

沉积低介电常数膜的方法 [P].

弗雷德里克·加伊拉德 ;

斯里尼瓦斯·D·内马尼 .

中国专利 :CN1698188B ,2005-11-16

[7]

一种沉积低介电常数膜层的方法 [P].

任康树 ;

亚历山德罗斯·T·迪莫斯 .

中国专利 :CN102113099B ,2011-06-29

[8]

低介电常数材料刻蚀的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102024697A ,2011-04-20

[9]

一种修复低介电常数材料层的方法 [P].

张鼎张 ;

刘柏村 ;

莫亦先 .

中国专利 :CN1205654C ,2003-03-26

[10]

在低介电常数材料层中形成开口的方法 [P].

王志荣 ;

陈东郁 .

中国专利 :CN1292470C ,2003-07-30

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