一种修复低介电常数材料层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01133185.2

申请日：

2001-09-20

公开(公告)号：

CN1205654C

公开(公告)日：

2003-03-26

发明(设计)人：

张鼎张刘柏村莫亦先

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

H01L214757

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;何秀明

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-03-26	公开	公开
2021-10-08	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/3105 申请日:20010920 授权公告日:20050608
2003-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2002-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-06-08	授权	授权
2003-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法 [P].

张鼎张 ;

刘柏村 ;

莫亦先 .

中国专利 :CN1402315A ,2003-03-12

[2]

低介电常数材料层的制造方法 [P].

谢宗棠 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN1409381A ,2003-04-09

[3]

多相低介电常数材料层的制造方法 [P].

孙旭辉 ;

夏雨健 .

中国专利 :CN103996654A ,2014-08-20

[4]

减少低介电常数材料层的微粒数目的方法 [P].

陈美玲 ;

林经祥 ;

刘志建 ;

赖国智 .

中国专利 :CN1819120A ,2006-08-16

[5]

低介电常数材料 [P].

黄心岩 ;

罗清郁 ;

陈海清 ;

包天一 .

中国专利 :CN102437143B ,2012-05-02

[6]

形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构 [P].

赫文振 ;

运广涛 ;

张伟 ;

罗钦贤 ;

苏圣哲 .

中国专利 :CN120824259A ,2025-10-21

[7]

低介电常数材料的表面处理方法 [P].

黎丽萍 ;

包天一 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1490852A ,2004-04-21

[8]

低介电常数材料的测量方法 [P].

沈千万 .

中国专利 :CN100477144C ,2007-07-04

[9]

处理低介电常数介电层的方法 [P].

王静亚 ;

曾伟雄 ;

罗冠胜 .

中国专利 :CN100376019C ,2006-04-05

[10]

低介电常数材料刻蚀的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102024697A ,2011-04-20

← 1 2 3 4 5 →