减少低介电常数材料层的微粒数目的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510051615.8

申请日：

2005-02-08

公开(公告)号：

CN1819120A

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

陈美玲林经祥刘志建赖国智

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L21469 H01L21285 C23C1600

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-16	公开	公开
2008-11-26	授权	授权
2006-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低介电常数材料层的制造方法 [P].

谢宗棠 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN1409381A ,2003-04-09

[2]

多相低介电常数材料层的制造方法 [P].

孙旭辉 ;

夏雨健 .

中国专利 :CN103996654A ,2014-08-20

[3]

一种修复低介电常数材料层的方法 [P].

张鼎张 ;

刘柏村 ;

莫亦先 .

中国专利 :CN1205654C ,2003-03-26

[4]

低介电常数材料 [P].

黄心岩 ;

罗清郁 ;

陈海清 ;

包天一 .

中国专利 :CN102437143B ,2012-05-02

[5]

低介电常数材料刻蚀的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102024697A ,2011-04-20

[6]

低介电常数层的制造方法 [P].

黎丽萍 ;

吕新贤 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1327494C ,2004-06-02

[7]

在低介电常数材料层中形成开口的方法 [P].

王志荣 ;

陈东郁 .

中国专利 :CN1292470C ,2003-07-30

[8]

形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构 [P].

赫文振 ;

运广涛 ;

张伟 ;

罗钦贤 ;

苏圣哲 .

中国专利 :CN120824259A ,2025-10-21

[9]

低介电常数材料的表面处理方法 [P].

黎丽萍 ;

包天一 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1490852A ,2004-04-21

[10]

低介电常数材料薄膜的制造方法 [P].

张鼎张 ;

刘柏村 .

中国专利 :CN1421904A ,2003-06-04

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