在低介电常数材料层中形成开口的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02141023.2

申请日：

2002-07-11

公开(公告)号：

CN1292470C

公开(公告)日：

2003-07-30

发明(设计)人：

王志荣陈东郁

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2128 H01L21311

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王学强

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20020711 授权公告日:20061227
2003-07-30	公开	公开
2004-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-12-27	授权	授权

共 50 条

[1]

在低介电常数介质层中形成通孔的方法 [P].

赵林林 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101355047B ,2009-01-28

[2]

低介电常数材料层的制造方法 [P].

谢宗棠 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN1409381A ,2003-04-09

[3]

多相低介电常数材料层的制造方法 [P].

孙旭辉 ;

夏雨健 .

中国专利 :CN103996654A ,2014-08-20

[4]

形成低介电常数材料的方法及产品 [P].

包天一 ;

柯忠祁 ;

黎丽萍 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1204605C ,2003-12-31

[5]

低介电常数材料 [P].

黄心岩 ;

罗清郁 ;

陈海清 ;

包天一 .

中国专利 :CN102437143B ,2012-05-02

[6]

形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构 [P].

赫文振 ;

运广涛 ;

张伟 ;

罗钦贤 ;

苏圣哲 .

中国专利 :CN120824259A ,2025-10-21

[7]

低介电常数材料刻蚀的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102024697A ,2011-04-20

[8]

低介电常数介电层的形成方法 [P].

陈奕伊 ;

包天一 ;

郑双铭 ;

余振华 .

中国专利 :CN101005023A ,2007-07-25

[9]

用于形成低介电常数氟掺杂层的方法 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN101022087A ,2007-08-22

[10]

一种修复低介电常数材料层的方法 [P].

张鼎张 ;

刘柏村 ;

莫亦先 .

中国专利 :CN1205654C ,2003-03-26

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