形成低介电常数材料的方法及产品

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02124343.3

申请日：

2002-06-19

公开(公告)号：

CN1204605C

公开(公告)日：

2003-12-31

发明(设计)人：

包天一柯忠祁黎丽萍章勋明

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

潘培坤;陈红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-10-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-12-31	公开	公开
2022-07-05	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/31 申请日:20020619 授权公告日:20050601
2005-06-01	授权	授权
2004-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低介电常数材料 [P].

黄心岩 ;

罗清郁 ;

陈海清 ;

包天一 .

中国专利 :CN102437143B ,2012-05-02

[2]

多孔性低介电常数材料的制造方法 [P].

李世达 ;

徐震球 .

中国专利 :CN1157769C ,2003-03-19

[3]

低介电常数材料及其制备方法 [P].

P·阿彭 ;

K·劳 ;

FQ·刘 ;

B·科罗勒夫 ;

E·布罗克 ;

R·泽雷宾 ;

D·纳勒瓦耶克 ;

R·梁 .

中国专利 :CN1643030A ,2005-07-20

[4]

低介电常数材料的表面处理方法 [P].

黎丽萍 ;

包天一 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1490852A ,2004-04-21

[5]

多孔低介电常数材料的等离子固化方法 [P].

R·奥巴诺 ;

C·巴格隆 ;

I·L·贝瑞三世 ;

J·比勒密尔 ;

P·德姆博斯克 ;

O·埃斯克斯雅 ;

Q·翰 ;

N·斯布罗科 ;

C·瓦尔德福理德 .

中国专利 :CN1695235A ,2005-11-09

[6]

多相低介电常数材料及其沉积方法与应用 [P].

艾尔弗雷德·格里尔 ;

维什纽拜·V·帕特尔 ;

斯蒂芬·M·盖茨 .

中国专利 :CN1257547C ,2003-11-05

[7]

低介电常数材料刻蚀的方法 [P].

赵林林 .

中国专利 :CN102024697A ,2011-04-20

[8]

低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件 [P].

中川秀夫 ;

笹子胜 .

中国专利 :CN1275297C ,2003-12-10

[9]

在低介电常数材料层中形成开口的方法 [P].

王志荣 ;

陈东郁 .

中国专利 :CN1292470C ,2003-07-30

[10]

用于低介电常数材料的有机组合物 [P].

C·－E·李 ;

R·泽雷宾 ;

N·斯雷曼 ;

A·格雷汉 ;

A·纳曼 ;

J·G·斯科尼亚 ;

K·劳 ;

P·G·阿彭 ;

B·科罗勒夫 ;

N·伊瓦莫托 .

中国专利 :CN1643669A ,2005-07-20

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