采用两个氧化物层的非易失性存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610137442.6

申请日：

2006-10-25

公开(公告)号：

CN101030623A

公开(公告)日：

2007-09-05

发明(设计)人：

斯蒂法诺维奇·詹瑞克赵重来柳寅儆李殷洪赵成逸文昌郁

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724 H01L2710 H01L27115 G11C1300 G11C1156 G11C1602

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-12	授权	授权
2007-09-05	公开	公开
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

非易失性存储器件的制造方法 [P].

金占寿 ;

张熙显 .

中国专利 :CN101097893A ,2008-01-02

[2]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

崔元烈 .

中国专利 :CN100511650C ,2007-11-28

[3]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

杜铉植 .

中国专利 :CN103594423A ,2014-02-19

[4]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

尹光铉 .

中国专利 :CN101894804A ,2010-11-24

[5]

异质结氧化物非易失性存储器装置 [P].

东敏·陈 .

中国专利 :CN102365746B ,2012-02-29

[6]

非易失性存储器件和非易失性存储器件的擦除方法 [P].

韩煜基 .

中国专利 :CN107591175B ,2018-01-16

[7]

具有两种电阻材料层的非易失性存储器件 [P].

郑镛洙 ;

朴允童 ;

柳寅儆 ;

李明宰 ;

徐顺爱 ;

金惠英 ;

安承彦 ;

徐大卫 .

中国专利 :CN1815770A ,2006-08-09

[8]

操作非易失性存储器件的方法和非易失性存储器件 [P].

崔那荣 ;

朴一汉 ;

宋承桓 .

中国专利 :CN108573722B ,2018-09-25

[9]

非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法 [P].

姜弼圭 ;

金治贤 ;

朴俊泓 ;

尹梓洋 ;

尹治元 ;

李道田 .

韩国专利 :CN118230772A ,2024-06-21

[10]

非易失性存储器件以及控制非易失性存储器件的方法 [P].

权容奭 ;

柳载悳 ;

朴商秀 ;

朴钟勋 ;

尹梓洋 .

韩国专利 :CN118486351A ,2024-08-13

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