具有两种电阻材料层的非易失性存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510136129.6

申请日：

2005-12-21

公开(公告)号：

CN1815770A

公开(公告)日：

2006-08-09

发明(设计)人：

郑镛洙朴允童柳寅儆李明宰徐顺爱金惠英安承彦徐大卫

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-09	公开	公开
2009-08-05	授权	授权
2007-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

非易失性存储器件 [P].

朴熙植 .

中国专利 :CN101097923A ,2008-01-02

[2]

非易失性存储器件 [P].

中川隆史 .

中国专利 :CN101542728A ,2009-09-23

[3]

具有铁电层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

李世昊 ;

刘香根 ;

李在吉 .

韩国专利 :CN113035876B ,2024-10-18

[4]

具有铁电层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

李世昊 ;

刘香根 ;

李在吉 .

中国专利 :CN113035876A ,2021-06-25

[5]

具有铁电层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

李在吉 ;

刘香根 ;

李世昊 .

中国专利 :CN113035875A ,2021-06-25

[6]

具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

刘香根 ;

李世昊 .

中国专利 :CN112466902A ,2021-03-09

[7]

具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

刘香根 ;

李世昊 .

韩国专利 :CN112466903B ,2024-06-18

[8]

具有多个沟道层的非易失性存储器件 [P].

刘香根 ;

宋姝璃 ;

李世昊 ;

李在吉 .

中国专利 :CN111384059A ,2020-07-07

[9]

具有阻变存储层的非易失性存储器件 [P].

韩在贤 ;

刘香根 ;

李世昊 .

韩国专利 :CN112466902B ,2024-07-16

[10]

具有电荷俘获层的非易失性存储器件 [P].

朴祥珍 ;

车映官 ;

朴永洙 ;

李正贤 ;

崔石镐 .

中国专利 :CN101017853A ,2007-08-15

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