双壳层ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列电极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210191330.4

申请日：

2012-06-11

公开(公告)号：

CN102768905A

公开(公告)日：

2012-11-07

发明(设计)人：

王浩刘荣王喜娜王甜汪宝元胡芸霞许扬丁浩张军

申请人：

申请人地址：

430062 湖北省武汉市武昌区学院路11号

IPC主分类号：

H01G9042

IPC分类号：

H01G920 C03C1734

代理机构：

武汉金堂专利事务所 42212

代理人：

丁齐旭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-07	公开	公开
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101373118107 IPC(主分类):H01G 9/042 专利申请号:2012101913304 申请日:20120611
2016-07-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101735312236 IPC(主分类):H01G 9/042 专利申请号:2012101913304 申请公布日:20121107

共 50 条

[1]

一种ZnO/CdTe/CdS纳米电缆阵列电极及其制备方法 [P].

王浩 ;

刘荣 ;

王淑嫱 ;

王喜娜 ;

王甜 ;

汪宝元 .

中国专利 :CN102412318B ,2012-04-11

[2]

一种ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极及其制备方法 [P].

王淑嫱 ;

王浩 ;

王甜 ;

王喜娜 ;

刘荣 ;

张军 ;

汪宝元 ;

胡芸霞 .

中国专利 :CN102437206B ,2012-05-02

[3]

ZnO/I掺杂ZnO核/壳结构纳米线阵列的制备方法 [P].

朱雨富 ;

周广宏 ;

刘磊 ;

林岳宾 .

中国专利 :CN104851942B ,2015-08-19

[4]

ZnO纳米线阵列的制备方法 [P].

周明杰 ;

廖秋荣 ;

马文波 .

中国专利 :CN102476787A ,2012-05-30

[5]

基于ZnO透明导电纳米线阵列电极的染料敏化太阳电池及其制备方法 [P].

陈建林 ;

胡琳琳 ;

陈荐 ;

何建军 ;

李微 ;

任延杰 ;

邱玮 .

中国专利 :CN103578775A ,2014-02-12

[6]

ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜及制备方法 [P].

汪牡丹 ;

陈陈旭 ;

方攸同 ;

孟亮 ;

刘嘉斌 .

中国专利 :CN104638066A ,2015-05-20

[7]

一种Ag/ZnO核壳结构纳米棒阵列电极材料制备方法 [P].

冯钰贻 ;

卢卡斯·施密特·门德 ;

王涌天 ;

金光大 ;

保罗·金 ;

克莱顿·奈米茨 ;

乔纳斯·魏克特 ;

詹姆斯·多尔曼 .

中国专利 :CN108878660B ,2018-11-23

[8]

水平有序ZnO纳米线阵列及其制备方法和应用 [P].

魏浩明 ;

蒋大勇 ;

赵曼 ;

段雨晗 .

中国专利 :CN119710550A ,2025-03-28

[9]

柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构及其制备方法 [P].

阙妙玲 ;

孙云飞 ;

孙晓红 ;

陈丽香 ;

孙佳惟 .

中国专利 :CN113013731A ,2021-06-22

[10]

一种三维ZnO/CdS纳米阵列电极及其制备方法 [P].

姜建刚 ;

任文艺 ;

王鹤 ;

张锐 ;

代筱娟 ;

曹煜轩 ;

石文密 ;

李正直 ;

徐屾明 .

中国专利 :CN112899721A ,2021-06-04

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