一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201510451447.5
申请日
2015-07-29
公开(公告)号
CN105062464A
公开(公告)日
2015-11-18
发明(设计)人
卫潇 郝桐帆 卢凯 徐叶青 李洪吉 周志平 闫永胜
申请人
申请人地址
212013 江苏省镇江市京口区学府路301号
IPC主分类号
C09K1106
IPC分类号
C08F21208 C08F21236 C08F22006 G01N2164
代理机构
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共 50 条
[1]
一种氨基碳量子点荧光硅基印迹传感器的制备方法 [P]. 
郝桐帆 ;
周志平 ;
聂仪晶 .
中国专利 :CN105385438A ,2016-03-09
[2]
一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法 [P]. 
卫潇 ;
郝桐帆 ;
李洪吉 ;
徐叶青 ;
卢凯 ;
周志平 ;
闫永胜 .
中国专利 :CN104744649B ,2015-07-01
[3]
一种量子点荧光磺胺印迹传感器的制备方法及其用途 [P]. 
杨文明 ;
应海琴 ;
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[4]
一种量子点荧光印迹聚合物的制备方法 [P]. 
卫潇 ;
孟敏佳 ;
宋志龙 ;
周志平 ;
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[5]
一种量子点荧光阿司匹林印迹传感器及其制备方法和应用 [P]. 
卫潇 ;
戴江栋 ;
李洪吉 ;
高林 ;
王吉祥 ;
于志新 ;
周志平 ;
闫永胜 .
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[6]
一种ZnO纳米棒分子印迹荧光传感器的制备方法 [P]. 
卫潇 ;
李洪吉 ;
郝桐帆 ;
徐叶青 ;
于志新 ;
周志平 ;
闫永胜 .
中国专利 :CN104237184B ,2014-12-24
[7]
一种氨基碳量子点荧光对硝基苯酚印迹传感器的制备方法 [P]. 
郝桐帆 ;
周志平 ;
聂仪晶 .
中国专利 :CN105466898A ,2016-04-06
[8]
一种荧光偏振荧光磁性分子印迹传感器的制备方法 [P]. 
赵晨 ;
贾光锋 ;
陆文总 ;
李滚 ;
孟祥艳 ;
潘海仙 ;
任郁苗 .
中国专利 :CN106519150B ,2017-03-22
[9]
一种稀土掺杂型荧光印迹聚合物的制备方法 [P]. 
刘春波 ;
宋志龙 ;
潘建明 ;
卫潇 ;
高林 .
中国专利 :CN103214615B ,2013-07-24
[10]
基于Co-AD量子点分子印迹荧光传感器检测冰毒的方法 [P]. 
殷勤红 ;
王乐 ;
朱艳琴 .
中国专利 :CN120668625A ,2025-09-19