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一种CdTe量子点荧光三氟氯氰菊酯印迹传感器的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201510124191.7
申请日：
2015-03-19
公开(公告)号：
CN104744649B
公开(公告)日：
2015-07-01
发明(设计)人：
卫潇 郝桐帆 李洪吉 徐叶青 卢凯 周志平 闫永胜
申请人：
申请人地址：
212013 江苏省镇江市京口区学府路301号
IPC主分类号：
C08F29200
IPC分类号：
C08F22056 C08F22214 G01N2164
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-06-26 授权 授权
2015-07-01 公开 公开
2015-07-29 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618649586 IPC(主分类):C08F 292/00 专利申请号:2015101241917 申请日:20150319
2020-03-10 专利权的终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08F 292/00 申请日:20150319 授权公告日:20180626 终止日期:20190319
共 50 条
[1]
一种荧光选择识别三氟氯氰菊酯的分子印迹材料制备方法 [P]. 
王吉祥 ;
闫永胜 ;
高林 ;
沈洪强 ;
李根 ;
刘树成 ;
李春香 .
中国专利 :CN104403051A ,2015-03-11
[2]
一种三氟氯氰菊酯荧光表面分子印迹亚微米材料制备方法 [P]. 
王吉祥 ;
闫永胜 ;
高林 ;
李根 ;
刘树成 ;
沈洪强 ;
李春香 .
中国专利 :CN104151492A ,2014-11-19
[3]
一种基于溶胀技术的量子点荧光印迹传感器的制备方法 [P]. 
卫潇 ;
郝桐帆 ;
卢凯 ;
徐叶青 ;
李洪吉 ;
周志平 ;
闫永胜 .
中国专利 :CN105062464A ,2015-11-18
[4]
一种氨基碳量子点荧光硅基印迹传感器的制备方法 [P]. 
郝桐帆 ;
周志平 ;
聂仪晶 .
中国专利 :CN105385438A ,2016-03-09
[5]
一种量子点荧光印迹聚合物的制备方法 [P]. 
卫潇 ;
孟敏佳 ;
宋志龙 ;
周志平 ;
闫永胜 .
中国专利 :CN103739846A ,2014-04-23
[6]
一种三氟氯氰菊酯磁性荧光分子印迹材料的制备方法 [P]. 
高林 ;
闫永胜 ;
王吉祥 ;
李秀颖 ;
李春香 ;
张岐 .
中国专利 :CN103992450A ,2014-08-20
[7]
一种量子点荧光磺胺印迹传感器的制备方法及其用途 [P]. 
杨文明 ;
应海琴 ;
徐婉珍 ;
周志平 .
中国专利 :CN106525783A ,2017-03-22
[8]
一种三氟氯氰菊酯荧光表面分子印迹纳米材料制备方法 [P]. 
高林 ;
李春香 ;
李秀颖 ;
潘建明 ;
戴江栋 ;
闫永胜 ;
卫潇 ;
宋志龙 ;
王吉祥 .
中国专利 :CN103819608A ,2014-05-28
[9]
一种氟氯氰菊酯分子印迹电致化学发光传感器的制备方法及其检测氟氯氰菊酯的方法 [P]. 
史西志 ;
张泽明 ;
徐锦锦 ;
张蓉蓉 ;
孙爱丽 ;
陈炯 .
中国专利 :CN111175358B ,2020-05-19
[10]
一种量子点荧光阿司匹林印迹传感器及其制备方法和应用 [P]. 
卫潇 ;
戴江栋 ;
李洪吉 ;
高林 ;
王吉祥 ;
于志新 ;
周志平 ;
闫永胜 .
中国专利 :CN104165874A ,2014-11-26
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