半导体材料的表面钝化方法以及半导体基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780047662.6

申请日：

2017-09-15

公开(公告)号：

CN110121786B

公开(公告)日：

2019-08-13

发明(设计)人：

杰斯屋未·夫奇斯维埃特·轩·努言汤玛斯·普尔拿沃夫冈·佑斯

申请人：

申请人地址：

德国布劳博伊伦

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L31068 H01L3118

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

胡枫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	公开	公开
2020-07-24	授权	授权
2019-09-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20170915

共 50 条

[1]

半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法 [P].

仓又朗人 ;

渡边信也 ;

佐佐木公平 ;

八木邦明 ;

八田直记 ;

东胁正高 ;

小西敬太 .

中国专利 :CN110869543A ,2020-03-06

[2]

半导体基板、半导体装置以及半导体基板的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 ;

岛田雅夫 ;

秦雅彦 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

久米英司 .

中国专利 :CN103403883B ,2013-11-20

[3]

半导体基板、半导体装置、以及半导体基板的制造方法 [P].

岩见正之 ;

古川拓也 .

中国专利 :CN103262214A ,2013-08-21

[4]

半导体基板以及半导体基板的检查方法 [P].

山田永 ;

山本大贵 ;

笠原健司 .

中国专利 :CN107078034A ,2017-08-18

[5]

半导体基板以及半导体基板的制造方法 [P].

今冈功 ;

内田英次 ;

须田淳 .

中国专利 :CN105917443A ,2016-08-31

[6]

半导体基板以及半导体基板的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 ;

秦雅彦 ;

山本武继 ;

和田一实 .

中国专利 :CN101897004A ,2010-11-24

[7]

半导体基板以及半导体基板的制造方法 [P].

佐泽洋幸 .

中国专利 :CN105431931A ,2016-03-23

[8]

半导体基板以及半导体基板的制造方法 [P].

神川刚 ;

须田升 ;

山下文雄 ;

青木优太 ;

清田满成 .

日本专利 :CN120958553A ,2025-11-14

[9]

半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN106165073B ,2016-11-23

[10]

半导体基板、半导体晶片以及半导体晶片的制造方法 [P].

佐佐木公平 ;

林家弘 .

日本专利 :CN117795654A ,2024-03-29

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