半导体器件的设计方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810002672.0
申请日
2008-01-14
公开(公告)号
CN101221942B
公开(公告)日
2008-07-16
发明(设计)人
佐藤元伸
申请人
申请人地址
日本神奈川县横浜市
IPC主分类号
H01L23522
IPC分类号
代理机构
隆天国际知识产权代理有限公司 72003
代理人
张龙哺
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
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半导体器件及其制造方法、半导体器件的设计方法 [P]. 
韩健 ;
顾悦吉 ;
黄示 ;
张衡 ;
孟美灵 ;
杨婷 .
中国专利 :CN119092488A ,2024-12-06