一种锗基肖特基晶体管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910090737.6

申请日：

2009-08-07

公开(公告)号：

CN101635262A

公开(公告)日：

2010-01-27

发明(设计)人：

郭岳安霞黄如张兴

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L21265 H01L21324

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙）

代理人：

余长江

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101613230066 IPC(主分类):H01L 21/338 专利号:ZL2009100907376 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学变更后权利人:100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:北京大学登记生效日:20130523
2012-05-30	授权	授权
2010-01-27	公开	公开
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-07-11	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101415127665 IPC(主分类):H01L 21/338 专利申请号:2009100907376 变更事项:发明人变更前:郭岳;安霞;黄如;张兴变更后:黄如;郭岳;安霞;张兴

共 50 条

[1]

一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法 [P].

李志强 ;

郭岳 ;

安霞 ;

云全新 ;

黄英龙 ;

黄如 ;

张兴 .

中国专利 :CN102136428B ,2011-07-27

[2]

一种锗基MOS晶体管的制备方法 [P].

孙雷 ;

王关清 ;

是成 ;

刘粮魁 .

中国专利 :CN106898552A ,2017-06-27

[3]

一种肖特基隧穿晶体管的制备方法 [P].

吴东平 ;

张世理 ;

王鹏飞 ;

仇志军 ;

张卫 .

中国专利 :CN101719517B ,2010-06-02

[4]

一种DMOS晶体管的制备方法及DMOS晶体管 [P].

陈定平 ;

张忠华 .

中国专利 :CN104425274A ,2015-03-18

[5]

一种钯/二硒化钨肖特基晶体管的制备方法 [P].

逄金波 ;

侯崇洋 ;

刘瑞 ;

王慧 ;

秦燕 ;

李梦娜 ;

刘宏 ;

周伟家 .

中国专利 :CN117316773B ,2024-02-13

[6]

肖特基晶体管的结构及制造方法 [P].

张博 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN104681448A ,2015-06-03

[7]

晶体管的制造方法及晶体管 [P].

何德彦 ;

李镇全 ;

刘立尧 .

中国专利 :CN110504217A ,2019-11-26

[8]

一种部分耗尽的SOI MOS晶体管的制备方法 [P].

张盛东 ;

李定宇 ;

陈文新 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN100527371C ,2008-03-05

[9]

肖特基晶体管的驱动电路 [P].

竹前義博 .

中国专利 :CN103701446A ,2014-04-02

[10]

晶体管的制备方法和晶体管 [P].

熊诗圣 ;

陈佳文 .

中国专利 :CN118782639A ,2024-10-15

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