一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110026949.5
申请日
2011-01-25
公开(公告)号
CN102136428B
公开(公告)日
2011-07-27
发明(设计)人
李志强 郭岳 安霞 云全新 黄英龙 黄如 张兴
申请人
申请人地址
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2947 H01L2978
代理机构
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360
代理人
贾晓玲
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管 [P]. 
吴同飞 .
中国专利 :CN119653837A ,2025-03-18
[2]
场效应晶体管的制备方法 [P]. 
肖韩 ;
黄如 ;
田豫 .
中国专利 :CN1314089C ,2005-06-01
[3]
场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P]. 
卢年端 ;
揣喜臣 ;
杨冠华 ;
李泠 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26
[4]
场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P]. 
揣喜臣 ;
卢年端 ;
杨冠华 ;
李泠 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09
[5]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
赵圣哲 .
中国专利 :CN106158665A ,2016-11-23
[6]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
马万里 ;
赵圣哲 .
中国专利 :CN107104050A ,2017-08-29
[7]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN107104145A ,2017-08-29
[8]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
杜蕾 .
中国专利 :CN106298924A ,2017-01-04
[9]
场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P]. 
徐慧龙 ;
秦旭东 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31
[10]
一种场效应晶体管 [P]. 
刘伟 ;
邓云 ;
龚涵哲 ;
薛勇 .
中国专利 :CN119486219A ,2025-02-18