场效应晶体管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410101391.2

申请日：

2004-12-21

公开(公告)号：

CN1314089C

公开(公告)日：

2005-06-01

发明(设计)人：

肖韩黄如田豫

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园5号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

贾晓玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-02	授权	授权
2011-01-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101058686862 IPC(主分类):H01L 21/335 专利号:ZL2004101013912 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:北京大学变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园5号变更后权利人:100871 北京市海淀区颐和园5号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司登记生效日:20101129
2005-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107104145A ,2017-08-29

[2]

场效应晶体管的制造方法及其形成的场效应晶体管 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN114068410A ,2022-02-18

[3]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106158665A ,2016-11-23

[4]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN107104050A ,2017-08-29

[5]

制备凹陷源漏场效应晶体管的方法 [P].

肖韩 ;

黄如 .

中国专利 :CN101226881A ,2008-07-23

[6]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN106298924A ,2017-01-04

[7]

场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P].

徐慧龙 ;

秦旭东 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31

[8]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

卢年端 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26

[9]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

揣喜臣 ;

卢年端 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09

[10]

场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法 [P].

吴多武 ;

马清杰 ;

许正一 .

中国专利 :CN108155243A ,2018-06-12

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