制备凹陷源漏场效应晶体管的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710000682.6
申请日
2007-01-16
公开(公告)号
CN101226881A
公开(公告)日
2008-07-23
发明(设计)人
肖韩 黄如
申请人
申请人地址
100871北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
代理机构
北京君尚知识产权代理事务所
代理人
贾晓玲
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管的制备方法 [P]. 
肖韩 ;
黄如 ;
田豫 .
中国专利 :CN1314089C ,2005-06-01
[2]
场效应晶体管的制造方法及其形成的场效应晶体管 [P]. 
翁文寅 .
中国专利 :CN114068410A ,2022-02-18
[3]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
赵圣哲 .
中国专利 :CN106158665A ,2016-11-23
[4]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
马万里 ;
赵圣哲 .
中国专利 :CN107104050A ,2017-08-29
[5]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN107104145A ,2017-08-29
[6]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
杜蕾 .
中国专利 :CN106298924A ,2017-01-04
[7]
场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P]. 
徐慧龙 ;
秦旭东 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31
[8]
场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P]. 
卢年端 ;
揣喜臣 ;
杨冠华 ;
李泠 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26
[9]
场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P]. 
揣喜臣 ;
卢年端 ;
杨冠华 ;
李泠 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09
[10]
制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法 [P]. 
黄如 ;
樊捷闻 ;
黎明 ;
杨远程 ;
宣浩然 .
中国专利 :CN103681355A ,2014-03-26