室清洁和半导体蚀刻气体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480076636.2

申请日：

2014-12-22

公开(公告)号：

CN106414798A

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

彭晟 G.罗大﨑善政

申请人：

申请人地址：

美国特拉华州

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

C23G500 C09K1300 H01L21311 H01L213213

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

周齐宏;李炳爱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-15	公开	公开
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707268913 IPC(主分类):C23C 16/44 专利申请号:2014800766362 申请日:20141222
2021-04-06	授权	授权

共 50 条

[1]

室清洁和半导体蚀刻气体 [P].

彭晟 ;

G.罗 ;

大﨑善政 .

中国专利 :CN112981369A ,2021-06-18

[2]

氢氟烯烃蚀刻气体混合物 [P].

G.李 ;

M.J.纳帕 ;

T-C.李 ;

H-C.李 .

中国专利 :CN105917025A ,2016-08-31

[3]

氢氟烯烃蚀刻气体混合物 [P].

G.李 ;

M.J.纳帕 ;

T-C.李 ;

H-C.李 .

中国专利 :CN114752386A ,2022-07-15

[4]

半导体装置的制造方法和蚀刻气体 [P].

石野嵩弥 ;

佐佐木俊行 ;

下田光春 ;

清水久志 .

中国专利 :CN112673459A ,2021-04-16

[5]

半导体装置的制造方法和蚀刻气体 [P].

石野嵩弥 ;

佐佐木俊行 ;

下田光春 ;

清水久志 .

日本专利 :CN112673459B ,2024-11-22

[6]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

法国专利 :CN111261512B ,2024-02-06

[7]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

中国专利 :CN111261512A ,2020-06-09

[8]

使用蚀刻气体蚀刻半导体结构的方法 [P].

R·古普塔 ;

V·R·帕里姆 ;

V·苏尔拉 ;

C·安德森 ;

N·斯塔福德 .

中国专利 :CN105580116B ,2016-05-11

[9]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

中国专利 :CN112567503A ,2021-03-26

[10]

半导体蚀刻方法 [P].

邓丽刚 ;

凯蒂·霍尔 .

英国专利 :CN112567503B ,2025-01-10

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