半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97118679.0

申请日：

1997-08-22

公开(公告)号：

CN1185658A

公开(公告)日：

1998-06-24

发明(设计)人：

山下朋弘小森重树犬石昌秀

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27105

IPC分类号：

H01L27108 H01L27092 H01L2182

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

叶恺东;王忠忠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-09	授权	授权
1998-06-24	公开	公开
2011-11-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101127309787 IPC(主分类):H01L 27/105 专利号:ZL971186790 申请日:19970822 授权公告日:20040609 终止日期:20100822
1998-05-27	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 ;

小森重树 ;

犬石昌秀 .

中国专利 :CN1306615C ,2004-06-02

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

定别当裕康 ;

三原一郎 .

中国专利 :CN1568546B ,2005-01-19

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄心岩 ;

郑凯方 ;

邓志霖 ;

李劭宽 ;

陈海清 .

中国专利 :CN107039375A ,2017-08-11

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

简昭欣 ;

刘继文 ;

周承翰 .

中国专利 :CN107230701A ,2017-10-03

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

东和幸 ;

松永范昭 .

中国专利 :CN1716590A ,2006-01-04

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

下村奈良和 .

中国专利 :CN1534779A ,2004-10-06

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

布兰丁·迪里耶 ;

乔治斯·威廉提斯 .

中国专利 :CN107464840A ,2017-12-12

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

王喻生 ;

洪奇成 ;

李家庆 ;

吴仲强 .

中国专利 :CN107887438A ,2018-04-06

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

筬岛亨 .

中国专利 :CN101911284A ,2010-12-08

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

江口晋吾 .

中国专利 :CN102067281A ,2011-05-18

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