半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN03801269.3
申请日
2003-08-05
公开(公告)号
CN1568546B
公开(公告)日
2005-01-19
发明(设计)人
定别当裕康 三原一郎
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L23538
IPC分类号
H01L2510 H01L2331
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
蔡洪贵
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山下朋弘 ;
小森重树 ;
犬石昌秀 .
中国专利 :CN1306615C ,2004-06-02
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山下朋弘 ;
小森重树 ;
犬石昌秀 .
中国专利 :CN1185658A ,1998-06-24
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
藤井英治 ;
井上敦雄 ;
有田浩二 ;
那须徹 ;
松田明浩 .
中国专利 :CN1115119A ,1996-01-17
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
金载甲 .
中国专利 :CN1037923C ,1996-03-27
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
若林猛 .
中国专利 :CN1337065A ,2002-02-20
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
今井馨太郎 ;
高山彻 ;
后藤裕吾 ;
丸山纯矢 ;
大野由美子 .
中国专利 :CN1542909A ,2004-11-03
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
各務克巳 ;
綿谷宏文 ;
池田雅延 .
中国专利 :CN100347854C ,2004-01-14
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
黄心岩 ;
郑凯方 ;
邓志霖 ;
李劭宽 ;
陈海清 .
中国专利 :CN107039375A ,2017-08-11
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
小田典明 .
中国专利 :CN1188991A ,1998-07-29
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
彦坂幸信 ;
伊藤昭男 ;
高井一章 ;
齐藤丈靖 .
中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23