半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN95106329.4
申请日
1995-06-08
公开(公告)号
CN1037923C
公开(公告)日
1996-03-27
发明(设计)人
金载甲
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L27085
IPC分类号
H01L218232
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
余朦
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
金载甲 .
中国专利 :CN1037924C ,1996-01-31
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
菅谷慎二 ;
桥本浩一 ;
鹰尾义弘 .
中国专利 :CN1734769A ,2006-02-15
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
饭塚康治 ;
高桥史年 .
中国专利 :CN107425026A ,2017-12-01
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山下朋弘 ;
小森重树 ;
犬石昌秀 .
中国专利 :CN1306615C ,2004-06-02
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
崔训诚 .
中国专利 :CN109103202A ,2018-12-28
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
若林猛 .
中国专利 :CN1337065A ,2002-02-20
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
定别当裕康 ;
三原一郎 .
中国专利 :CN1568546B ,2005-01-19
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
各務克巳 ;
綿谷宏文 ;
池田雅延 .
中国专利 :CN100347854C ,2004-01-14
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
金承范 .
中国专利 :CN102237335B ,2011-11-09
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
小田典明 .
中国专利 :CN1188991A ,1998-07-29