半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN00802618.1
申请日
2000-10-31
公开(公告)号
CN1337065A
公开(公告)日
2002-02-20
发明(设计)人
若林猛
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L2331
IPC分类号
H01L2156
代理机构
永新专利商标代理有限公司
代理人
蹇炜
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
木崎正康 .
中国专利 :CN1375869A ,2002-10-23
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山下朋弘 ;
小森重树 ;
犬石昌秀 .
中国专利 :CN1306615C ,2004-06-02
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
青仓勇 ;
福田敏行 ;
太田行俊 ;
三木启司 .
中国专利 :CN101114630A ,2008-01-30
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
宫入秀和 ;
长多刚 ;
秋元健吾 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN101728434A ,2010-06-09
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
金载甲 .
中国专利 :CN1037923C ,1996-03-27
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
宫入秀和 ;
长多刚 ;
秋元健吾 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN104078512A ,2014-10-01
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
定别当裕康 ;
三原一郎 .
中国专利 :CN1568546B ,2005-01-19
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
各務克巳 ;
綿谷宏文 ;
池田雅延 .
中国专利 :CN100347854C ,2004-01-14
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
小田典明 .
中国专利 :CN1188991A ,1998-07-29
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
彦坂幸信 ;
伊藤昭男 ;
高井一章 ;
齐藤丈靖 .
中国专利 :CN1240133C ,2003-07-23