基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780087210.0

申请日：

2017-09-27

公开(公告)号：

CN110366770A

公开(公告)日：

2019-10-22

发明(设计)人：

川崎润一冈崎正

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2122

IPC分类号：

C23C1644 H01L2102 H01L2131 H01L21677

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;沈静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/22 申请日:20170927
2019-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P].

冈崎正 ;

安彦一 ;

宫田智之 ;

加我友纪直 .

中国专利 :CN111033714A ,2020-04-17

[2]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P].

松永友树 ;

北村匡史 ;

北本博之 ;

新田贵史 .

日本专利 :CN117529796A ,2024-02-06

[3]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P].

中谷一夫 .

中国专利 :CN113508453A ,2021-10-15

[4]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P].

山本克彦 ;

山崎惠信 ;

佐佐木伸也 ;

道田典明 .

中国专利 :CN115699256A ,2023-02-03

[5]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序 [P].

竹林雄二 ;

岛田真一 ;

守川敦史 .

中国专利 :CN103966576A ,2014-08-06

[6]

半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

宫田智之 ;

安彦一 ;

川崎润一 ;

冈崎正 .

中国专利 :CN110945638A ,2020-03-31

[7]

基板处理装置、映射装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及程序 [P].

林昭成 ;

手冢重伦 ;

黑泽敏晴 ;

柴田仁 .

日本专利 :CN120731503A ,2025-09-30

[8]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序 [P].

中谷一夫 ;

安藤文恵 ;

西浦进 ;

越湖裕 .

中国专利 :CN114270490A ,2022-04-01

[9]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序 [P].

坪田康寿 ;

中山雅则 ;

舟木克典 ;

上田立志 ;

竹岛雄一郎 ;

市村圭太 ;

井川博登 ;

山角宥贵 ;

岸本宗树 .

中国专利 :CN114788419A ,2022-07-22

[10]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序 [P].

白子贤治 ;

谷山智志 .

中国专利 :CN113508455A ,2021-10-15

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