双埋层SOI高压器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410216637.4

申请日：

2014-05-22

公开(公告)号：

CN105097923A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

张炯郑辉徐帆程玉华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区盛夏路608号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2936

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	公开	公开
2017-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101726358119 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014102166374 申请日:20140522
2020-04-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20151125

共 50 条

[1]

双垂直窗三埋层SOI高压器件结构 [P].

张炯 ;

邵兴 ;

徐帆 ;

程玉华 .

中国专利 :CN105097823A ,2015-11-25

[2]

双垂直窗三埋层SOI高压器件结构 [P].

沈立 .

中国专利 :CN108630709A ,2018-10-09

[3]

SOI高压器件 [P].

方健 ;

周贤达 ;

张波 ;

乔明 .

中国专利 :CN101179097A ,2008-05-14

[4]

具有双埋层结构的SOI LDMOS器件及其制造方法 [P].

杨蒙蒙 ;

王晓日 ;

张磊 .

中国专利 :CN120475741A ,2025-08-12

[5]

一种SOI横向高压器件 [P].

章文通 ;

詹珍雅 ;

肖倩倩 ;

余洋 ;

王正康 ;

乔明 .

中国专利 :CN107068736B ,2017-08-18

[6]

一种带有中间埋层的高压结构 [P].

陆宇 ;

沈立 ;

程玉华 ;

周润宝 ;

沈金龙 .

中国专利 :CN109979897A ,2019-07-05

[7]

SOI器件结构 [P].

张立君 ;

程玉华 .

中国专利 :CN102130172A ,2011-07-20

[8]

SOI器件结构 [P].

沈立 ;

陆宇 ;

周润宝 ;

沈金龙 ;

程玉华 .

中国专利 :CN109979874A ,2019-07-05

[9]

一种具有大功率高压器件模块结构 [P].

陆宇 ;

沈立 ;

程玉华 ;

周润宝 ;

沈金龙 .

中国专利 :CN109980006A ,2019-07-05

[10]

SOI器件新结构 [P].

徐帆 ;

牟志强 ;

蒋乐乐 .

中国专利 :CN105097928A ,2015-11-25

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