SOI器件新结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410216651.4

申请日：

2014-05-22

公开(公告)号：

CN105097928A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

徐帆牟志强蒋乐乐

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区盛夏路608号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	公开	公开
2016-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672278452 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014102166514 申请日:20140522
2018-12-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20151125

共 50 条

[1]

一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构 [P].

徐帆 ;

牟志强 ;

蒋乐乐 .

中国专利 :CN105097927A ,2015-11-25

[2]

SOI器件结构 [P].

张立君 ;

程玉华 .

中国专利 :CN102130172A ,2011-07-20

[3]

SOI器件结构 [P].

沈立 ;

陆宇 ;

周润宝 ;

沈金龙 ;

程玉华 .

中国专利 :CN109979874A ,2019-07-05

[4]

SOI器件的制备方法及SOI器件结构 [P].

汪维金 ;

陶波 ;

高永辉 .

中国专利 :CN119451221A ,2025-02-14

[5]

朱慧珑 ;

钟健 ;

张严波 .

中国专利 :CN204558469U ,2015-08-12

[6]

SOI器件结构及其制造方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN106229290B ,2016-12-14

[7]

双埋层SOI高压器件 [P].

张炯 ;

郑辉 ;

徐帆 ;

程玉华 .

中国专利 :CN105097923A ,2015-11-25

[8]

SOI高压器件 [P].

方健 ;

周贤达 ;

张波 ;

乔明 .

中国专利 :CN101179097A ,2008-05-14

[9]

SOI器件及其构成静电保护器件结构 [P].

苏庆 .

中国专利 :CN104332493A ,2015-02-04

[10]

一种SOI‑LIGBT器件 [P].

乔明 ;

詹珍雅 ;

章文通 ;

何逸涛 ;

肖倩倩 ;

王正康 ;

余洋 ;

张波 .

中国专利 :CN106847882A ,2017-06-13

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