一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410216647.8

申请日：

2014-05-22

公开(公告)号：

CN105097927A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

徐帆牟志强蒋乐乐

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区盛夏路608号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20151125
2017-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101726362056 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014102166478 申请日:20140522
2015-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提高击穿电压的大功率器件模块结构 [P].

陆宇 ;

沈立 ;

周润宝 ;

沈金龙 ;

程玉华 .

中国专利 :CN109979985A ,2019-07-05

[2]

SOI器件新结构 [P].

徐帆 ;

牟志强 ;

蒋乐乐 .

中国专利 :CN105097928A ,2015-11-25

[3]

提高VDMOS器件击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107180763B ,2017-09-19

[4]

提高高压LDMOS器件击穿电压的结构 [P].

宁开明 ;

董科 ;

武洁 ;

董金珠 .

中国专利 :CN103579313A ,2014-02-12

[5]

提高超级结器件击穿电压的结构 [P].

赵龙杰 .

中国专利 :CN110379847A ,2019-10-25

[6]

提高MOS器件击穿电压的方法及MOS器件 [P].

林洪春 ;

杨大为 ;

孙佳佳 ;

王增智 ;

樊吉涛 .

中国专利 :CN104465777A ,2015-03-25

[7]

一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构 [P].

白欣娇 ;

李帅 ;

崔素杭 .

中国专利 :CN209487513U ,2019-10-11

[8]

一种提高双扩散漏器件击穿电压的方法 [P].

汪雪娇 ;

石晶 ;

徐翠芹 ;

刘巍 .

中国专利 :CN113506743A ,2021-10-15

[9]

具有提高的击穿电压的半导体器件 [P].

渡边武人 .

中国专利 :CN1767191A ,2006-05-03

[10]

用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI [P].

林隆世 ;

杨富雄 ;

黄坤铭 ;

林明毅 ;

褚伯韬 .

中国专利 :CN103855140B ,2014-06-11

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