一种提高击穿电压的大功率器件模块结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711452884.4
申请日
2017-12-28
公开(公告)号
CN109979985A
公开(公告)日
2019-07-05
发明(设计)人
陆宇 沈立 周润宝 沈金龙 程玉华
申请人
申请人地址
201399 上海市浦东新区惠南镇沪南公路9356弄1-36号407室
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
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[2]
一种具有大功率高压器件模块结构 [P]. 
陆宇 ;
沈立 ;
程玉华 ;
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[3]
一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构 [P]. 
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[4]
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涂光炜 .
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[5]
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涂光炜 .
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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