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一种提高击穿电压的大功率器件模块结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201711452884.4
申请日
:
2017-12-28
公开(公告)号
:
CN109979985A
公开(公告)日
:
2019-07-05
发明(设计)人
:
陆宇
沈立
周润宝
沈金龙
程玉华
申请人
:
申请人地址
:
201399 上海市浦东新区惠南镇沪南公路9356弄1-36号407室
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-07-05
公开
公开
2021-06-08
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20190705
共 50 条
[1]
一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构
[P].
徐帆
论文数:
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0
徐帆
;
牟志强
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牟志强
;
蒋乐乐
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蒋乐乐
.
中国专利
:CN105097927A
,2015-11-25
[2]
一种具有大功率高压器件模块结构
[P].
陆宇
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陆宇
;
沈立
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沈立
;
程玉华
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程玉华
;
周润宝
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周润宝
;
沈金龙
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沈金龙
.
中国专利
:CN109980006A
,2019-07-05
[3]
一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构
[P].
白欣娇
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白欣娇
;
李帅
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李帅
;
崔素杭
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崔素杭
.
中国专利
:CN209487513U
,2019-10-11
[4]
大功率器件结构
[P].
涂光炜
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涂光炜
.
中国专利
:CN206302349U
,2017-07-04
[5]
一种大功率器件结构
[P].
涂光炜
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涂光炜
.
中国专利
:CN106712540A
,2017-05-24
[6]
一种大功率器件模块的安装方法
[P].
翁全璞
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翁全璞
;
段小强
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段小强
;
洪涛
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洪涛
;
尹江涛
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尹江涛
;
金鑫
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金鑫
;
刘海峰
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刘海峰
;
张志富
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张志富
.
中国专利
:CN115334856A
,2022-11-11
[7]
一种提高横向耐压的大功率埋层结构
[P].
陆宇
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陆宇
;
沈立
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沈立
;
周润宝
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周润宝
;
沈金龙
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沈金龙
;
程玉华
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程玉华
.
中国专利
:CN109980007A
,2019-07-05
[8]
一种大功率器件散热结构
[P].
符娇
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机构:
西安大仕新材料科技有限公司
西安大仕新材料科技有限公司
符娇
;
陆芹
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机构:
西安大仕新材料科技有限公司
西安大仕新材料科技有限公司
陆芹
;
刘宗琛
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机构:
西安大仕新材料科技有限公司
西安大仕新材料科技有限公司
刘宗琛
;
陈达明
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机构:
西安大仕新材料科技有限公司
西安大仕新材料科技有限公司
陈达明
;
于朝同
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机构:
西安大仕新材料科技有限公司
西安大仕新材料科技有限公司
于朝同
;
齐梓雄
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机构:
西安大仕新材料科技有限公司
西安大仕新材料科技有限公司
齐梓雄
.
中国专利
:CN221486487U
,2024-08-06
[9]
一种大功率模块的散热结构
[P].
薛红喜
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薛红喜
;
高宏亮
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高宏亮
.
中国专利
:CN203690285U
,2014-07-02
[10]
一种大功率器件
[P].
张海龙
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机构:
池州昀钐半导体材料有限公司
池州昀钐半导体材料有限公司
张海龙
;
孙家兴
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机构:
池州昀钐半导体材料有限公司
池州昀钐半导体材料有限公司
孙家兴
.
中国专利
:CN221805513U
,2024-10-01
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