提高高压LDMOS器件击穿电压的结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210283176.3

申请日：

2012-08-10

公开(公告)号：

CN103579313A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

宁开明董科武洁董金珠

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578332351 IPC(主分类):H01L 29/40 专利申请号:2012102831763 申请日:20120810
2016-11-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101742584639 IPC(主分类):H01L 29/40 专利申请号:2012102831763 申请公布日:20140212
2014-02-12	公开	公开
2014-02-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101690905244 IPC(主分类):H01L 29/40 专利申请号:2012102831763 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140114

共 50 条

[1]

高击穿电压LDMOS器件 [P].

杨宏宁 ;

D·J·布隆伯格 ;

左将凯 .

中国专利 :CN103531630B ,2014-01-22

[2]

一种可以有效提高器件击穿特性的LDMOS结构 [P].

沈立 .

中国专利 :CN109103244A ,2018-12-28

[3]

提高超级结器件击穿电压的结构 [P].

赵龙杰 .

中国专利 :CN110379847A ,2019-10-25

[4]

提高VDMOS器件击穿电压的方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107180763B ,2017-09-19

[5]

一种可提高击穿电压的LDMOS器件及其制造方法 [P].

王颢 ;

令海洋 ;

叶滋婧 ;

刘龙平 ;

陈爱军 .

中国专利 :CN101800247A ,2010-08-11

[6]

改善LDMOS高压侧击穿电压的装置及其制备方法 [P].

屠孝瑜 ;

李咏絮 .

中国专利 :CN113948567A ,2022-01-18

[7]

高压LDMOS器件 [P].

吴小利 ;

唐树澍 ;

许丹 ;

高超 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN102637736B ,2012-08-15

[8]

提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法 [P].

罗梅村 ;

赵时化 .

中国专利 :CN1025467C ,1993-07-21

[9]

一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构 [P].

徐帆 ;

牟志强 ;

蒋乐乐 .

中国专利 :CN105097927A ,2015-11-25

[10]

改善LDMOS击穿电压的结构及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN117832281A ,2024-04-05

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