高击穿电压LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310265326.2

申请日：

2013-06-28

公开(公告)号：

CN103531630B

公开(公告)日：

2014-01-22

发明(设计)人：

杨宏宁 D·J·布隆伯格左将凯

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

金晓

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-22	公开	公开
2019-02-01	授权	授权
2017-11-24	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:申请人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618679448 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013102653262 申请日:20130628

共 50 条

[1]

高击穿电压P型LDMOS器件及制造方法 [P].

邢超 ;

刘剑 ;

孙尧 .

中国专利 :CN103456783A ,2013-12-18

[2]

高击穿电压半导体器件 [P].

曹大为 ;

北村睦美 ;

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN103493207B ,2014-01-01

[3]

具有击穿电压钳位的LDMOS晶体管 [P].

V·帕塔萨拉蒂 ;

V·帕拉 ;

M·A·祖尼加 .

美国专利 :CN110176488B ,2024-07-16

[4]

具有击穿电压钳位的LDMOS晶体管 [P].

V·帕塔萨拉蒂 ;

V·帕拉 ;

M·A·祖尼加 .

中国专利 :CN110176488A ,2019-08-27

[5]

提高高压LDMOS器件击穿电压的结构 [P].

宁开明 ;

董科 ;

武洁 ;

董金珠 .

中国专利 :CN103579313A ,2014-02-12

[6]

具有高击穿电压的半导体器件 [P].

江本孝朗 ;

盐见武夫 .

中国专利 :CN85106895B ,1987-03-11

[7]

高压LDMOS器件 [P].

祁树坤 .

中国专利 :CN104518023A ,2015-04-15

[8]

具有高击穿电压的半导体器件及其制造方法 [P].

简·雄斯基 ;

安科·黑林格 .

中国专利 :CN101203960A ,2008-06-18

[9]

高击穿电压III族氮化物器件 [P].

O.赫贝尔伦 ;

C.奥斯特迈尔 ;

G.普雷希特尔 .

中国专利 :CN103594507A ,2014-02-19

[10]

一种可提高击穿电压的LDMOS器件及其制造方法 [P].

王颢 ;

令海洋 ;

叶滋婧 ;

刘龙平 ;

陈爱军 .

中国专利 :CN101800247A ,2010-08-11

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