用于击穿电压改进的功率器件上部分SOI

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310173217.8

申请日：

2013-05-10

公开(公告)号：

CN103855140B

公开(公告)日：

2014-06-11

发明(设计)人：

林隆世杨富雄黄坤铭林明毅褚伯韬

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2198

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-20	授权	授权
2014-06-11	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽栅功率器件及提高沟槽栅器件栅极击穿电压的方法 [P].

卢烁今 .

中国专利 :CN111883584A ,2020-11-03

[2]

减少沟道功率器件的源漏击穿电压蠕变的方法 [P].

张怡 .

中国专利 :CN105185698A ,2015-12-23

[3]

用于功率半导体器件的改进的锯齿电场漂移区域结构 [P].

马督儿·博德 .

中国专利 :CN102842598B ,2012-12-26

[4]

用于功率半导体器件的改进的锯齿电场漂移区域结构 [P].

马督儿·博德 .

中国专利 :CN101478000A ,2009-07-08

[5]

一种用于负电源电压的薄层SOI集成功率器件 [P].

乔明 ;

王猛 ;

胡曦 ;

庄翔 ;

赖力 ;

赵远远 ;

张波 .

中国专利 :CN102024825B ,2011-04-20

[6]

一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构 [P].

徐帆 ;

牟志强 ;

蒋乐乐 .

中国专利 :CN105097927A ,2015-11-25

[7]

提高氮化镓基功率器件击穿电压的外延方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

刘春雪 ;

李晨 .

中国专利 :CN106876257B ,2017-06-20

[8]

具有低通态电阻、高击穿电压的功率器件 [P].

步健康 .

中国专利 :CN204857731U ,2015-12-09

[9]

一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构 [P].

白欣娇 ;

李帅 ;

崔素杭 .

中国专利 :CN209487513U ,2019-10-11

[10]

功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法 [P].

李晶晶 ;

谢晋春 .

中国专利 :CN113092975B ,2024-04-19

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