一种Zn－掺杂SnO2微孔纳米材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810114570.8

申请日：

2008-06-04

公开(公告)号：

CN101337688A

公开(公告)日：

2009-01-07

发明(设计)人：

席广成王星王超

申请人：

申请人地址：

100123北京市朝阳区高碑店北路甲3号

IPC主分类号：

C01G1902

IPC分类号：

代理机构：

北京中海智圣知识产权代理有限公司

代理人：

曾永珠;吴红飞

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101303910804 IPC(主分类):C01G 19/02 专利号:ZL2008101145708 申请日:20080604 授权公告日:20100106 终止日期:20110604
2010-01-06	授权	授权
2009-01-07	公开	公开
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种In掺杂SnO2纳米材料的制备方法及其应用 [P].

魏明灯 ;

王亚 ;

费海龙 .

中国专利 :CN102790207A ,2012-11-21

[2]

一种Ag掺杂的SnO2气敏材料的制备方法 [P].

展思辉 ;

张涛 ;

范子琳 ;

崔庆新 ;

李轶 ;

鲁志宝 ;

吴宪 .

中国专利 :CN113008946A ,2021-06-22

[3]

氧空位缺陷的SnO2纳米材料的制备方法、氧空位缺陷的SnO2纳米材料及使用方法 [P].

杨静凯 ;

任望为 ;

张佳欣 ;

崔延 ;

孙宇 ;

赵洪力 ;

梁波 .

中国专利 :CN114538501A ,2022-05-27

[4]

氢化物沉积制备纳米SnO2材料的方法 [P].

吕弋 ;

席毛洋 ;

刘睿 .

中国专利 :CN102030362B ,2011-04-27

[5]

一种ZnO/SnO2异质结构纳米发光材料的制备方法 [P].

陈春晖 .

中国专利 :CN102504816B ,2012-06-20

[6]

Zn2+掺杂或Cd2+掺杂的SnO2纳米棒一维纳米材料及其应用 [P].

赵鹤云 ;

吴兴惠 ;

赵怀志 .

中国专利 :CN1872700A ,2006-12-06

[7]

水溶性SnO2无机半导体纳米材料的制备方法与应用 [P].

肖勋文 ;

沈梁钧 ;

王乐佳 .

中国专利 :CN108163887A ,2018-06-15

[8]

一种空心纳米SnO2气敏材料的制备方法 [P].

王琼 ;

李超群 ;

何诗琪 ;

杨梓民 ;

李格格 ;

张青松 .

中国专利 :CN114180619A ,2022-03-15

[9]

一种多级结构的SnO2纳米材料 [P].

刘善堂 ;

郑力 ;

毕文杰 .

中国专利 :CN110194483A ,2019-09-03

[10]

一种掺杂有MnO2和TiO2的SnO2纳米颗粒的制备方法 [P].

范子琳 ;

鲁志宝 ;

展思辉 ;

刘帅杰 ;

吴宪 ;

崔庆新 .

中国专利 :CN108918598B ,2018-11-30

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