高压半导体功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620919433.1

申请日：

2016-08-23

公开(公告)号：

CN205984943U

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

何延强吴迪刘钺杨金锐温家良潘艳

申请人：

申请人地址：

102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

H01L2331 H01L2156

代理机构：

北京安博达知识产权代理有限公司 11271

代理人：

徐国文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体功率器件 [P].

王鹏飞 ;

袁愿林 ;

刘磊 ;

王睿 .

中国专利 :CN217037151U ,2022-07-22

[2]

半导体功率器件 [P].

许新佳 ;

周炳 ;

陈雨雁 ;

赵承杰 ;

夏凯 .

中国专利 :CN209561381U ,2019-10-29

[3]

半导体功率器件 [P].

吴炆皜 ;

何洪运 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN212750881U ,2021-03-19

[4]

半导体功率器件 [P].

马强 .

中国专利 :CN206564256U ,2017-10-17

[5]

半导体功率器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

刘玉龙 ;

沈加勇 .

中国专利 :CN208538825U ,2019-02-22

[6]

半导体功率器件 [P].

何洪运 ;

郝艳霞 ;

朱建平 .

中国专利 :CN215933592U ,2022-03-01

[7]

半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN216250731U ,2022-04-08

[8]

半导体功率器件 [P].

吴毅锋 ;

曾凡明 ;

高吴昊 .

中国专利 :CN221783215U ,2024-09-27

[9]

一种半导体功率器件版图结构及半导体功率器件 [P].

阳平 .

中国专利 :CN209447801U ,2019-09-27

[10]

半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28

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