氮化镓晶体以及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780039788.5

申请日：

2007-10-25

公开(公告)号：

CN101573479A

公开(公告)日：

2009-11-04

发明(设计)人：

马克·飞利浦·德艾芙琳东-斯尔·帕克史蒂芬·弗兰西斯·勒伯夫拉里·波顿·罗兰克里斯蒂·简·纳拉恩慧聪·洪彼得·麦卡·山特维克

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格

IPC主分类号：

C30B710

IPC分类号：

C30B912 C30B2940

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-04	公开	公开
2009-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-08-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101445733893 IPC(主分类):C30B 7/10 专利申请号:2007800397885 公开日:20091104

共 50 条

[1]

氮化镓晶体的制备方法 [P].

油利正昭 ;

上田哲三 ;

马场孝明 .

中国专利 :CN1180135C ,1998-12-09

[2]

氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P].

三川丰 ;

栗本浩平 ;

包全喜 .

日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16

[3]

氮化镓晶体衬底及其制造方法 [P].

佐藤史隆 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101024903A ,2007-08-29

[4]

氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法 [P].

马克·P·德维林 ;

朴东实 ;

史蒂文·F·莱博厄夫 ;

拉里·B·罗兰 ;

克里斯蒂·J·纳兰 ;

洪慧聪 ;

彼得·M·桑维克 .

中国专利 :CN100474511C ,2006-03-15

[5]

氮化镓晶体和晶片 [P].

马克·P·德维林 ;

朴东实 ;

史蒂文·F·勒布厄夫 ;

拉里·B·罗兰 ;

克里斯蒂·J·纳兰 ;

洪慧聪 ;

斯蒂芬·D·阿瑟 ;

彼得·M·桑德维克 .

中国专利 :CN101583744A ,2009-11-18

[6]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN102239283A ,2011-11-09

[7]

氮化镓晶体衬底 [P].

冈久拓司 ;

元木健作 ;

上松康二 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

井尻英幸 ;

笠井仁 ;

藤田俊介 ;

佐藤史隆 ;

松冈彻 .

中国专利 :CN101805928A ,2010-08-18

[8]

氮化镓晶体基板 [P].

善积祐介 ;

长田英树 ;

美浓部周吾 ;

羽木良明 .

中国专利 :CN111356794B ,2020-06-30

[9]

氮化镓达林顿晶体管及其制备方法 [P].

徐尉宗 ;

谭佳炜 ;

顾广扬 ;

陆海 ;

任芳芳 ;

周峰 ;

周东 ;

张荣 .

中国专利 :CN120512917B ,2025-09-16

[10]

氮化镓达林顿晶体管及其制备方法 [P].

徐尉宗 ;

谭佳炜 ;

顾广扬 ;

陆海 ;

任芳芳 ;

周峰 ;

周东 ;

张荣 .

中国专利 :CN120512917A ,2025-08-19

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