氮化镓晶体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98106206.7

申请日：

1998-04-03

公开(公告)号：

CN1180135C

公开(公告)日：

1998-12-09

发明(设计)人：

油利正昭上田哲三马场孝明

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

C30B2518 C30B2938 H01L21205 H01S530

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

章鸣玉

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-06-21	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-12-15	授权	授权
2013-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101460117800 IPC(主分类):C30B 25/02 专利号:ZL981062067 申请日:19980403 授权公告日:20041215 终止日期:20120403
1998-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P].

三川丰 ;

栗本浩平 ;

包全喜 .

日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16

[2]

二维氮化镓晶体的制备方法 [P].

李春晓 ;

宋文涛 ;

徐耿钊 ;

刘争晖 ;

张春玉 ;

陈科蓓 ;

韩厦 ;

徐科 .

中国专利 :CN114232083A ,2022-03-25

[3]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN102239283A ,2011-11-09

[4]

氮化镓晶体以及其制备方法 [P].

马克·飞利浦·德艾芙琳 ;

东-斯尔·帕克 ;

史蒂芬·弗兰西斯·勒伯夫 ;

拉里·波顿·罗兰 ;

克里斯蒂·简·纳拉恩 ;

慧聪·洪 ;

彼得·麦卡·山特维克 .

中国专利 :CN101573479A ,2009-11-04

[5]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

皿山正二 ;

林昌弘 ;

三好直哉 ;

木村千春 ;

和田纯一 .

中国专利 :CN110295390A ,2019-10-01

[6]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

油利正昭 ;

上田哲三 ;

马场孝明 .

中国专利 :CN1177655A ,1998-04-01

[7]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

皿山正二 ;

林昌弘 ;

三好直哉 ;

木村千春 ;

和田纯一 .

中国专利 :CN106103816A ,2016-11-09

[8]

生长氮化镓晶体的方法 [P].

弘田龙 ;

元木健作 ;

中畑成二 ;

冈久拓司 ;

上松康二 .

中国专利 :CN101144182A ,2008-03-19

[9]

生长氮化镓晶体的方法 [P].

冈久拓司 ;

元木健作 ;

上松康二 ;

中畑成二 ;

弘田龙 ;

井尻英幸 ;

笠井仁 ;

藤田俊介 ;

佐藤史隆 ;

松冈彻 .

中国专利 :CN101086963A ,2007-12-12

[10]

一种氮化镓晶体的制备方法 [P].

李东键 ;

叶宏伦 ;

钟健 ;

钟其龙 ;

刘崇志 ;

张本义 .

中国专利 :CN111893566A ,2020-11-06

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