一种具有高反射电极的LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410596755.2

申请日：

2014-10-31

公开(公告)号：

CN104319333A

公开(公告)日：

2015-01-28

发明(设计)人：

易翰翔郝锐吴魁黄惠葵

申请人：

申请人地址：

529000 广东省江门市江海区彩虹路1号

IPC主分类号：

H01L3342

IPC分类号：

H01L3346 H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-28	公开	公开
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101619000884 IPC(主分类):H01L 33/42 专利申请号:2014105967552 申请日:20141031
2017-10-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有高反射电极的LED芯片 [P].

易翰翔 ;

郝锐 ;

吴魁 ;

黄惠葵 .

中国专利 :CN204118110U ,2015-01-21

[2]

一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法 [P].

张星星 ;

张亚 ;

迟博 ;

简弘安 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114530537A ,2022-05-24

[3]

一种LED芯片及其反射电极 [P].

刘撰 ;

杨晓隆 ;

王怀兵 ;

王辉 .

中国专利 :CN208538900U ,2019-02-22

[4]

一种具有高反射电流阻挡层的LED芯片及其制备方法 [P].

张星星 ;

张亚 ;

李美玲 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114883459A ,2022-08-09

[5]

一种具有反射电极结构的LED芯片 [P].

窦志珍 ;

贾钊 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN217405453U ,2022-09-09

[6]

一种具有高反射电极的LED芯片 [P].

王兵 .

中国专利 :CN207398164U ,2018-05-22

[7]

一种具有高反射电极的LED芯片及其制作方法 [P].

王兵 .

中国专利 :CN107863425A ,2018-03-30

[8]

一种具有高反射电极的LED芯片及其制作方法 [P].

王兵 .

中国专利 :CN107863425B ,2024-05-31

[9]

一种具有反射电极的垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

陈芳 ;

王光绪 ;

刘军林 ;

李树强 ;

吴小明 ;

杨梦琳 ;

郭醒 ;

江风益 .

中国专利 :CN109378378A ,2019-02-22

[10]

一种具有反射电极的垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

陈芳 ;

王光绪 ;

刘军林 ;

李树强 ;

吴小明 ;

杨梦琳 ;

郭醒 ;

江风益 .

中国专利 :CN109378378B ,2024-01-02

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