一种具有反射电极的垂直结构LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811235637.3

申请日：

2018-10-23

公开(公告)号：

CN109378378B

公开(公告)日：

2024-01-02

发明(设计)人：

陈芳王光绪刘军林李树强吴小明杨梦琳郭醒江风益

申请人：

南昌大学南昌硅基半导体科技有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

IPC主分类号：

H01L33/36

IPC分类号：

H01L33/00

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

胡群

法律状态：

授权

国省代码：

江西省南昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有反射电极的垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

陈芳 ;

王光绪 ;

刘军林 ;

李树强 ;

吴小明 ;

杨梦琳 ;

郭醒 ;

江风益 .

中国专利 :CN109378378A ,2019-02-22

[2]

一种垂直结构LED芯片、反射电极及其制备方法 [P].

陈芳 ;

王光绪 ;

刘军林 ;

李树强 ;

吴小明 ;

杨梦琳 ;

郭醒 ;

江风益 .

中国专利 :CN109273573A ,2019-01-25

[3]

一种具有反射电极的垂直结构LED芯片 [P].

陈芳 ;

王光绪 ;

刘军林 ;

李树强 ;

吴小明 ;

杨梦琳 ;

郭醒 ;

江风益 .

中国专利 :CN208986011U ,2019-06-14

[4]

一种垂直结构LED芯片、反射电极 [P].

陈芳 ;

王光绪 ;

刘军林 ;

李树强 ;

吴小明 ;

杨梦琳 ;

郭醒 ;

江风益 .

中国专利 :CN209169167U ,2019-07-26

[5]

一种具有反射电极结构的LED芯片 [P].

窦志珍 ;

贾钊 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN217405453U ,2022-09-09

[6]

一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法 [P].

张星星 ;

张亚 ;

迟博 ;

简弘安 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN114530537A ,2022-05-24

[7]

一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片及其制备方法 [P].

陈芳 ;

吴小明 ;

莫春兰 ;

郑畅达 ;

蒋恺 ;

王立 .

中国专利 :CN114122218A ,2022-03-01

[8]

一种具有高反射电极的LED芯片及其制备方法 [P].

易翰翔 ;

郝锐 ;

吴魁 ;

黄惠葵 .

中国专利 :CN104319333A ,2015-01-28

[9]

倒装LED芯片反射电极制备方法及其结构 [P].

黄涛 .

中国专利 :CN110518105A ,2019-11-29

[10]

一种LED芯片及其反射电极 [P].

刘撰 ;

杨晓隆 ;

王怀兵 ;

王辉 .

中国专利 :CN208538900U ,2019-02-22

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