一种适用于晶片边缘抛光的组合物及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410757863.3

申请日：

2014-12-10

公开(公告)号：

CN104479559B

公开(公告)日：

2015-04-01

发明(设计)人：

潘国顺顾忠华龚桦邹春莉罗桂海王鑫陈高攀

申请人：

申请人地址：

518108 广东省深圳市南山区松白路西丽南岗第二工业园九栋一楼

IPC主分类号：

H01L21312

IPC分类号：

代理机构：

深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311

代理人：

哈达

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	公开	公开
2016-09-21	授权	授权
2020-11-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/312 申请日:20141210 授权公告日:20160921 终止日期:20191210
2015-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607579708 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2014107578633 申请日:20141210

共 50 条

[1]

一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

罗桂海 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

陈高攀 ;

王鑫 .

中国专利 :CN103740280A ,2014-04-23

[2]

一种适用于大尺寸硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

罗桂海 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

陈高攀 ;

王鑫 .

中国专利 :CN103740281A ,2014-04-23

[3]

一种可提高硅晶片抛光精度的抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

邹春莉 ;

高源 .

中国专利 :CN102408837B ,2012-04-11

[4]

一种硅晶片细抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

罗桂海 ;

王鑫 ;

陈高攀 .

中国专利 :CN104559797B ,2015-04-29

[5]

一种硅晶片精抛光组合物及制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

罗桂海 ;

王鑫 ;

陈高攀 .

中国专利 :CN104530987A ,2015-04-22

[6]

一种适用于砷化镓晶片的化学机械抛光组合物 [P].

王同庆 ;

黄灿容 ;

顾敏敏 ;

王鑫 ;

顾忠华 ;

潘国顺 .

中国专利 :CN106833389A ,2017-06-13

[7]

一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法 [P].

龚桦 ;

顾忠华 ;

邹春莉 ;

陈高攀 ;

潘国顺 .

中国专利 :CN102766408A ,2012-11-07

[8]

一种用于硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

龚桦 ;

李拓 .

中国专利 :CN102516876B ,2012-06-27

[9]

一种硅晶片抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

龚桦 ;

邹春莉 .

中国专利 :CN102516873B ,2012-06-27

[10]

一种用于硅晶片抛光的抛光组合物 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

高峰 ;

雒建斌 ;

路新春 ;

刘岩 .

中国专利 :CN101451046A ,2009-06-10

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