一种适用于低下压力的硅晶片精抛光组合液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210217759.6

申请日：

2012-06-28

公开(公告)号：

CN102766408A

公开(公告)日：

2012-11-07

发明(设计)人：

龚桦顾忠华邹春莉陈高攀潘国顺

申请人：

申请人地址：

518108 广东省深圳市南山区西丽南岗第二工业园九栋一楼

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

廖元秋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-28	授权	授权
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101373120101 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2012102177596 申请日:20120628
2012-11-07	公开	公开
2019-06-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20120628 授权公告日:20140528 终止日期:20180628

共 50 条

[1]

一种可抑制颗粒沉积的硅晶片精抛光组合液及其制备方法 [P].

龚桦 ;

顾忠华 ;

邹春莉 ;

潘国顺 .

中国专利 :CN102775915A ,2012-11-14

[2]

一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

罗桂海 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

陈高攀 ;

王鑫 .

中国专利 :CN103740280A ,2014-04-23

[3]

一种适用于大尺寸硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

罗桂海 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

陈高攀 ;

王鑫 .

中国专利 :CN103740281A ,2014-04-23

[4]

一种硅晶片精抛光组合物及制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

罗桂海 ;

王鑫 ;

陈高攀 .

中国专利 :CN104530987A ,2015-04-22

[5]

一种适用于晶片边缘抛光的组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

罗桂海 ;

王鑫 ;

陈高攀 .

中国专利 :CN104479559B ,2015-04-01

[6]

一种硅晶片细抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

罗桂海 ;

王鑫 ;

陈高攀 .

中国专利 :CN104559797B ,2015-04-29

[7]

一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

邹春莉 ;

李拓 ;

雒建斌 ;

路新春 ;

刘岩 .

中国专利 :CN102093819A ,2011-06-15

[8]

一种可提高硅晶片抛光精度的抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

邹春莉 ;

高源 .

中国专利 :CN102408837B ,2012-04-11

[9]

一种用于硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

龚桦 ;

李拓 .

中国专利 :CN102516876B ,2012-06-27

[10]

一种用于硅晶片抛光的抛光组合物 [P].

潘国顺 ;

顾忠华 ;

高峰 ;

雒建斌 ;

路新春 ;

刘岩 .

中国专利 :CN101451046A ,2009-06-10

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