半导体结构及其制作工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910187678.8

申请日：

2019-03-13

公开(公告)号：

CN111697072A

公开(公告)日：

2020-09-22

发明(设计)人：

李志成陈威任李凯霖

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-22	公开	公开
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190313

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作工艺 [P].

刘志建 ;

张家隆 ;

陈哲明 ;

李瑞珉 ;

林育民 .

中国专利 :CN103515285A ,2014-01-15

[2]

半导体结构及其制作工艺 [P].

简俊贤 ;

刘汉诚 ;

张香鈜 ;

傅焕钧 ;

郭子荧 ;

蔡文力 .

中国专利 :CN102479770A ,2012-05-30

[3]

半导体结构及其制作工艺 [P].

刘恩铨 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN106158628A ,2016-11-23

[4]

半导体结构及其制作工艺 [P].

蔡旻錞 ;

黄信富 ;

许启茂 ;

林进富 ;

陈健豪 ;

陈威宇 ;

孙启原 ;

谢雅雪 ;

郑存闵 .

中国专利 :CN103515421A ,2014-01-15

[5]

半导体结构及其制作工艺 [P].

廖晋毅 ;

简金城 .

中国专利 :CN103378130A ,2013-10-30

[6]

半导体结构及其制作工艺 [P].

张铉瑀 ;

许民 ;

吴容哲 ;

杨涛 ;

贺晓彬 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN114678358A ,2022-06-28

[7]

半导体结构及其制作工艺 [P].

林建良 ;

王俞仁 ;

颜英伟 .

中国专利 :CN103887337A ,2014-06-25

[8]

半导体结构及其制作工艺 [P].

林坤贤 ;

林俊贤 ;

黄信富 .

中国专利 :CN103117297A ,2013-05-22

[9]

半导体结构及其制作工艺 [P].

洪庆文 ;

张宗宏 ;

李怡慧 ;

黄志森 ;

陈意维 ;

许家彰 ;

黄信富 ;

吴俊元 ;

邹世芳 .

中国专利 :CN105590910A ,2016-05-18

[10]

半导体结构及其制作工艺 [P].

江振国 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN103456785A ,2013-12-18

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