互补金属氧化物半导体图像传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580022041.X

申请日：

2005-06-30

公开(公告)号：

CN100464573C

公开(公告)日：

2007-06-06

发明(设计)人：

李仑政黄载淳郑宪埈

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H04N5335

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

李辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-06	公开	公开
2009-02-25	授权	授权
2007-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

周雪梅 ;

陈鸿 .

中国专利 :CN214705931U ,2021-11-12

[2]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

权五凤 .

中国专利 :CN1258228C ,2003-03-05

[3]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

朴英桓 ;

朴钟银 ;

安正查 ;

李相柱 ;

张荣洽 .

中国专利 :CN102883118A ,2013-01-16

[4]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

李仑政 .

中国专利 :CN101567960A ,2009-10-28

[5]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

安正卓 ;

浅羽哲朗 ;

金利泰 ;

金廷妍 ;

黄圣仁 .

中国专利 :CN1881600A ,2006-12-20

[6]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

李仑政 .

中国专利 :CN100563015C ,2007-06-06

[7]

互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法 [P].

郑宗完 ;

李德炯 .

中国专利 :CN1913167A ,2007-02-14

[8]

互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法 [P].

白铉敏 ;

李德珉 .

中国专利 :CN1747178A ,2006-03-15

[9]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

井原久典 ;

安言卓 .

中国专利 :CN106960855B ,2017-07-18

[10]

互补金属氧化物半导体图像传感器 [P].

李潇 .

中国专利 :CN204946902U ,2016-01-06

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