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互补金属氧化物半导体图像传感器
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710022597.3
申请日：
2017-01-12
公开(公告)号：
CN106960855B
公开(公告)日：
2017-07-18
发明(设计)人：
井原久典
安言卓
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L27146
IPC分类号：
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
张波
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-02-25 | 授权 | 授权 |
| 2018-12-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20170112 |
| 2017-07-18 | 公开 | 公开 |