一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201611109108.X
申请日
2016-12-06
公开(公告)号
CN106585061A
公开(公告)日
2017-04-26
发明(设计)人
魏居富 周超 李静
申请人
申请人地址
361000 福建省厦门市海沧区东孚大道2879号6号楼5层504单元
IPC主分类号
B32B3712
IPC分类号
代理机构
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369
代理人
李强
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种量子点和荧光复合薄膜材料及其制备方法 [P]. 
殷家家 ;
边疆 ;
杜俊峰 .
中国专利 :CN120005623A ,2025-05-16
[2]
一种高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料及其制备方法 [P]. 
董鑫 ;
党新明 ;
焦腾 ;
陈威 ;
张源涛 .
中国专利 :CN114899106A ,2022-08-12
[3]
一种耐高温量子点荧光材料及其制备方法 [P]. 
李静 ;
魏居富 ;
周超 .
中国专利 :CN107384368A ,2017-11-24
[4]
一种制备高质量ZnO材料的方法 [P]. 
朱顺明 ;
印杰 ;
顾书林 ;
叶建东 ;
汤琨 ;
黄时敏 ;
郑有炓 .
中国专利 :CN103938183A ,2014-07-23
[5]
一种量子点荧光复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
王恺 ;
郝俊杰 ;
刘皓宸 ;
孙小卫 .
中国专利 :CN107828416B ,2018-03-23
[6]
一种量子点、量子点复合材料及其制备方法 [P]. 
赵治强 ;
高晓斌 ;
赵柏羽 ;
阴德贺 .
中国专利 :CN114479834A ,2022-05-13
[7]
一种环保型量子点荧光粉材料及其低温制备方法 [P]. 
魏居富 ;
周超 ;
李静 .
中国专利 :CN106543472A ,2017-03-29
[8]
含有量子点的储能复合薄膜材料及制备方法 [P]. 
罗遂斌 ;
张政 ;
于淑会 ;
孙蓉 .
中国专利 :CN109694537A ,2019-04-30
[9]
一种高厚度、高质量Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜材料及其制备方法 [P]. 
董鑫 ;
党新明 ;
焦腾 ;
陈威 ;
张源涛 .
中国专利 :CN114899106B ,2025-01-14
[10]
量子点荧光微球及其制备方法 [P]. 
褚先锋 ;
邓橙 ;
李为公 .
中国专利 :CN109233836A ,2019-01-18