一种高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210522074.6

申请日：

2022-05-13

公开(公告)号：

CN114899106A

公开(公告)日：

2022-08-12

发明(设计)人：

董鑫党新明焦腾陈威张源涛

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L21365

IPC分类号：

H01L2924 H01L29861

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高厚度、高质量Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜材料及其制备方法 [P].

董鑫 ;

党新明 ;

焦腾 ;

陈威 ;

张源涛 .

中国专利 :CN114899106B ,2025-01-14

[2]

一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法 [P].

董鑫 ;

张源涛 ;

李赜明 ;

张宝林 ;

李万程 .

中国专利 :CN109346400B ,2019-02-15

[3]

一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法 [P].

董鑫 ;

张源涛 ;

李赜明 ;

张宝林 ;

焦腾 ;

李万程 .

中国专利 :CN110911270A ,2020-03-24

[4]

一种制备β-Ga2O3薄膜方法 [P].

邢艳辉 ;

张尧 ;

韩军 ;

曹旭 .

中国专利 :CN110195217A ,2019-09-03

[5]

一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法 [P].

董鑫 ;

陈威 ;

焦腾 ;

张源涛 ;

张宝林 .

中国专利 :CN113097055B ,2021-07-09

[6]

一种同质外延β-Ga2O3薄膜及其制备方法 [P].

张涛 ;

冯倩 ;

张雅超 ;

张进成 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113517173A ,2021-10-19

[7]

基于SiC衬底的Ga2O3薄膜的制备方法及基于SiC衬底的Ga2O3薄膜 [P].

贾仁需 ;

王卓 ;

于淼 ;

余建刚 .

中国专利 :CN110993504A ,2020-04-10

[8]

GaN/β－Ga2O3复合衬底的材料及其制备方法 [P].

吴锋 ;

夏长泰 ;

张俊刚 ;

徐军 .

中国专利 :CN1694225A ,2005-11-09

[9]

一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

董鑫 ;

焦腾 ;

张源涛 ;

张宝林 ;

李赜明 .

中国专利 :CN111725072B ,2020-09-29

[10]

一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法 [P].

魏居富 ;

周超 ;

李静 .

中国专利 :CN106585061A ,2017-04-26

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