一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811208179.4

申请日：

2018-10-17

公开(公告)号：

CN109346400B

公开(公告)日：

2019-02-15

发明(设计)人：

董鑫张源涛李赜明张宝林李万程

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-15	公开	公开
2021-09-10	授权	授权
2019-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181017

共 50 条

[1]

一种高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料及其制备方法 [P].

董鑫 ;

党新明 ;

焦腾 ;

陈威 ;

张源涛 .

中国专利 :CN114899106A ,2022-08-12

[2]

一种高厚度、高质量Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜材料及其制备方法 [P].

董鑫 ;

党新明 ;

焦腾 ;

陈威 ;

张源涛 .

中国专利 :CN114899106B ,2025-01-14

[3]

一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法 [P].

董鑫 ;

张源涛 ;

李赜明 ;

张宝林 ;

焦腾 ;

李万程 .

中国专利 :CN110911270A ,2020-03-24

[4]

一种通过低键能N2O热氧化制备高质量稳态β-Ga2O3薄膜的方法 [P].

刘毅 ;

韦素芬 ;

李明逵 .

中国专利 :CN115029683A ,2022-09-09

[5]

一种Ga2O3薄膜及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

李炳辉 ;

张振中 .

中国专利 :CN111710591A ,2020-09-25

[6]

一种Ga2O3薄膜及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111710592B ,2020-09-25

[7]

一种制备β-Ga2O3薄膜方法 [P].

邢艳辉 ;

张尧 ;

韩军 ;

曹旭 .

中国专利 :CN110195217A ,2019-09-03

[8]

一种Ga2O3：Zn薄膜及其制备方法 [P].

刘可为 ;

孙璇 ;

申德振 ;

陈星 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111710593A ,2020-09-25

[9]

一种高质量GaN薄膜及其制备方法 [P].

贾伟 ;

樊腾 ;

李天保 ;

仝广运 ;

董海亮 ;

许并社 .

中国专利 :CN108538977B ,2018-09-14

[10]

一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法 [P].

董鑫 ;

陈威 ;

焦腾 ;

张源涛 ;

张宝林 .

中国专利 :CN113097055B ,2021-07-09

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