一种Ga2O3：Zn薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010599592.9

申请日：

2020-06-28

公开(公告)号：

CN111710593A

公开(公告)日：

2020-09-25

发明(设计)人：

刘可为孙璇申德振陈星张振中李炳辉

申请人：

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L31032 C23C1640

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200628
2023-01-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20200925
2020-09-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Ga2O3薄膜及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111710592B ,2020-09-25

[2]

一种Ga2O3薄膜及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

李炳辉 ;

张振中 .

中国专利 :CN111710591A ,2020-09-25

[3]

一种制备β-Ga2O3薄膜方法 [P].

邢艳辉 ;

张尧 ;

韩军 ;

曹旭 .

中国专利 :CN110195217A ,2019-09-03

[4]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207A ,2024-01-16

[5]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207B ,2025-10-31

[6]

一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法 [P].

董鑫 ;

张源涛 ;

李赜明 ;

张宝林 ;

李万程 .

中国专利 :CN109346400B ,2019-02-15

[7]

β‑Ga2O3微米带的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

杨毓琪 ;

李芳 ;

李彤彤 .

中国专利 :CN107140681A ,2017-09-08

[8]

一种单一取向锌镓氧薄膜及其制备方法 [P].

刘可为 ;

韩冬阳 ;

申德振 ;

陈星 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111081533A ,2020-04-28

[9]

磷掺杂β-Ga2O3微米线的制备方法 [P].

冯秋菊 ;

高冲 ;

解金珠 ;

董增杰 ;

孙景昌 ;

梁硕 ;

刘玮 .

中国专利 :CN112850780B ,2021-05-28

[10]

非晶Ga2O3光电探测器及其制备方法和性能提升方法 [P].

隋妍心 ;

霍文星 ;

王涛 ;

韩祖银 ;

朱锐 ;

梅增霞 ;

梁会力 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN111697090A ,2020-09-22

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