非晶Ga2O3光电探测器及其制备方法和性能提升方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910192170.7

申请日：

2019-03-14

公开(公告)号：

CN111697090A

公开(公告)日：

2020-09-22

发明(设计)人：

隋妍心霍文星王涛韩祖银朱锐梅增霞梁会力杜小龙

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

H01L310296

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539

代理人：

李楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-22	公开	公开
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0296 申请日:20190314

共 50 条

[1]

ZnSe纳米光电探测器及其制备方法 [P].

王莉 ;

揭建胜 ;

吴春艳 ;

于永强 ;

卢敏 ;

谢超 ;

郭慧尔 ;

任勇斌 .

中国专利 :CN102163641A ,2011-08-24

[2]

基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

董林鹏 ;

栾苏珍 ;

庞体强 ;

张玉明 ;

汪钰成 ;

刘银涛 .

中国专利 :CN107369763B ,2017-11-21

[3]

一种非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法和应用 [P].

崔书娟 ;

梅增霞 ;

张永晖 ;

梁会力 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN108963027A ,2018-12-07

[4]

基于MgO钝化的非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114823930A ,2022-07-29

[5]

基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114725234A ,2022-07-08

[6]

一种高性能Ga2O3薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

张洪良 ;

徐翔宇 ;

张佳业 ;

陈文山 .

中国专利 :CN115000228A ,2022-09-02

[7]

一种Ga2O3紫外探测器及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111584658B ,2020-08-25

[8]

一种Ga2O3紫外探测器及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

李炳辉 ;

张振中 .

中国专利 :CN111628018B ,2020-09-04

[9]

基于MoS2/Ga2O3异质结的光电探测器、制备方法及应用 [P].

苏杰 ;

田珂 ;

张鹏亮 ;

林珍华 ;

常晶晶 .

中国专利 :CN111081808A ,2020-04-28

[10]

栅极调控的高响应Sn掺杂Ga2O3微米线光电探测器及其制备方法 [P].

张重阳 ;

杨珣 ;

单崇新 .

中国专利 :CN115498061A ,2022-12-20

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