一种Ga2O3薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010597226.X

申请日：

2020-06-28

公开(公告)号：

CN111710592B

公开(公告)日：

2020-09-25

发明(设计)人：

陈星刘可为申德振张振中李炳辉

申请人：

申请人地址：

130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L31032 C23C1640

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	授权	授权
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200628
2020-09-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Ga2O3薄膜及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

李炳辉 ;

张振中 .

中国专利 :CN111710591A ,2020-09-25

[2]

一种Ga2O3：Zn薄膜及其制备方法 [P].

刘可为 ;

孙璇 ;

申德振 ;

陈星 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111710593A ,2020-09-25

[3]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207A ,2024-01-16

[4]

一种Si：Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜及其制备方法 [P].

陈旭 ;

孟冬冬 ;

葛坤鹏 ;

陈政委 .

中国专利 :CN117403207B ,2025-10-31

[5]

一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法 [P].

刘宝丹 ;

张偲 ;

李晶 ;

张兴来 .

中国专利 :CN111811645B ,2020-10-23

[6]

一种Ga2O3基透明导电薄膜及其制备方法 [P].

郑树文 ;

郑涛 ;

尚秋月 ;

李述体 .

中国专利 :CN109082631A ,2018-12-25

[7]

一种单一取向锌镓氧薄膜及其制备方法 [P].

刘可为 ;

韩冬阳 ;

申德振 ;

陈星 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111081533A ,2020-04-28

[8]

一种Ga2O3紫外探测器及其制备方法 [P].

陈星 ;

刘可为 ;

申德振 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111584658B ,2020-08-25

[9]

一种高质量Ga2O3薄膜及其异质外延制备方法 [P].

董鑫 ;

张源涛 ;

李赜明 ;

张宝林 ;

李万程 .

中国专利 :CN109346400B ,2019-02-15

[10]

Ga2O3薄膜晶体管的制备方法 [P].

张春福 ;

许育 ;

张进成 ;

郝跃 ;

常晶晶 ;

于雪婷 ;

吴艺聪 ;

张力鑫 .

中国专利 :CN107946176A ,2018-04-20

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