1.5T SONOS闪存的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910432630.9
申请日
2019-05-23
公开(公告)号
CN110620115B
公开(公告)日
2019-12-27
发明(设计)人
戴树刚
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L2711568
IPC分类号
H01L2711573 H01L2128
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
1.5T SONOS闪存器件及工艺方法 [P]. 
张可钢 .
中国专利 :CN110504273A ,2019-11-26
[2]
1.5T SONOS闪存的工艺方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN109119421A ,2019-01-01
[3]
1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法 [P]. 
王宁 ;
张可钢 .
中国专利 :CN111883478B ,2024-02-09
[4]
1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法 [P]. 
王宁 ;
张可钢 .
中国专利 :CN111883478A ,2020-11-03
[5]
SONOS闪存器件选择管的制造方法 [P]. 
郭加龙 ;
徐友峰 ;
李芳 .
中国专利 :CN119364767B ,2025-09-30
[6]
SONOS闪存器件选择管的制造方法 [P]. 
郭加龙 ;
徐友峰 ;
李芳 .
中国专利 :CN119364767A ,2025-01-24
[7]
一种1.5T SONOS器件及其制备方法 [P]. 
杨梓宽 ;
綦殿禹 ;
高大为 ;
吴永玉 .
中国专利 :CN119789432B ,2025-10-28
[8]
1.5T耗尽型SONOS非挥发性存储器及其制造方法 [P]. 
许昭昭 ;
钱文生 ;
胡君 .
中国专利 :CN107527917A ,2017-12-29
[9]
一种1.5T SONOS器件及其制备方法 [P]. 
杨梓宽 ;
綦殿禹 ;
高大为 ;
吴永玉 .
中国专利 :CN119789432A ,2025-04-08
[10]
一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法 [P]. 
唐小亮 .
中国专利 :CN110854119A ,2020-02-28