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1.5T SONOS闪存的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910432630.9
申请日
:
2019-05-23
公开(公告)号
:
CN110620115B
公开(公告)日
:
2019-12-27
发明(设计)人
:
戴树刚
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L2711568
IPC分类号
:
H01L2711573
H01L2128
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-01-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11568 申请日:20190523
2022-03-18
授权
授权
2019-12-27
公开
公开
共 50 条
[1]
1.5T SONOS闪存器件及工艺方法
[P].
张可钢
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张可钢
.
中国专利
:CN110504273A
,2019-11-26
[2]
1.5T SONOS闪存的工艺方法
[P].
许昭昭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许昭昭
.
中国专利
:CN109119421A
,2019-01-01
[3]
1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法
[P].
王宁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
王宁
;
张可钢
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张可钢
.
中国专利
:CN111883478B
,2024-02-09
[4]
1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法
[P].
王宁
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王宁
;
张可钢
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张可钢
.
中国专利
:CN111883478A
,2020-11-03
[5]
SONOS闪存器件选择管的制造方法
[P].
郭加龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
郭加龙
;
徐友峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
徐友峰
;
李芳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
李芳
.
中国专利
:CN119364767B
,2025-09-30
[6]
SONOS闪存器件选择管的制造方法
[P].
郭加龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
郭加龙
;
徐友峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
徐友峰
;
李芳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
李芳
.
中国专利
:CN119364767A
,2025-01-24
[7]
一种1.5T SONOS器件及其制备方法
[P].
杨梓宽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
浙江大学
浙江大学
杨梓宽
;
綦殿禹
论文数:
0
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0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
綦殿禹
;
高大为
论文数:
0
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0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
高大为
;
吴永玉
论文数:
0
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0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
吴永玉
.
中国专利
:CN119789432B
,2025-10-28
[8]
1.5T耗尽型SONOS非挥发性存储器及其制造方法
[P].
许昭昭
论文数:
0
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0
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0
许昭昭
;
钱文生
论文数:
0
引用数:
0
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0
钱文生
;
胡君
论文数:
0
引用数:
0
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0
胡君
.
中国专利
:CN107527917A
,2017-12-29
[9]
一种1.5T SONOS器件及其制备方法
[P].
杨梓宽
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
杨梓宽
;
綦殿禹
论文数:
0
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0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
綦殿禹
;
高大为
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
高大为
;
吴永玉
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
浙江大学
浙江大学
吴永玉
.
中国专利
:CN119789432A
,2025-04-08
[10]
一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法
[P].
唐小亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
唐小亮
.
中国专利
:CN110854119A
,2020-02-28
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