1.5T SONOS闪存的工艺方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810757746.5
申请日
2018-07-11
公开(公告)号
CN109119421A
公开(公告)日
2019-01-01
发明(设计)人
许昭昭
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L2711524
IPC分类号
H01L271157
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
1.5T SONOS闪存器件及工艺方法 [P]. 
张可钢 .
中国专利 :CN110504273A ,2019-11-26
[2]
1.5T SONOS闪存的制造方法 [P]. 
戴树刚 .
中国专利 :CN110620115B ,2019-12-27
[3]
1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法 [P]. 
王宁 ;
张可钢 .
中国专利 :CN111883478B ,2024-02-09
[4]
1.5T SONOS闪存器件的接触孔连接方法 [P]. 
王宁 ;
张可钢 .
中国专利 :CN111883478A ,2020-11-03
[5]
1.5T SONOS快速闪存存储器单元结构 [P]. 
陈广龙 ;
杨斌 .
中国专利 :CN101764132A ,2010-06-30
[6]
一种1.5T SONOS器件及其制备方法 [P]. 
程晨 ;
王彬 ;
徐凯 ;
吴李瑞 .
中国专利 :CN114335004B ,2022-04-12
[7]
分栅SONOS闪存存储器的制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN108666317B ,2018-10-16
[8]
1.5-T SONOS器件制作工艺方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN109119422A ,2019-01-01
[9]
一种1.5T SONOS器件及其制备方法 [P]. 
杨梓宽 ;
綦殿禹 ;
高大为 ;
吴永玉 .
中国专利 :CN119789432B ,2025-10-28
[10]
一种1.5T SONOS器件及其制备方法 [P]. 
杨梓宽 ;
綦殿禹 ;
高大为 ;
吴永玉 .
中国专利 :CN119789432A ,2025-04-08